勵(lì)磁電壓高達(dá)30KV單機(jī)大電流輸出互感器二次回路完整性
發(fā)布時(shí)間:2021/8/13 13:02:17 訪問次數(shù):982
支持檢測(cè)CT和PT(保護(hù)類、計(jì)量類、TP 類)穩(wěn)態(tài)和瞬時(shí)等參數(shù)。 滿足 GB1207、GB1208、GB16847(IEC60044-1、IEC60044-6)等規(guī)程要求。
采用先進(jìn)的電源技術(shù),勵(lì)磁電壓高達(dá)30KV. 單機(jī)具有0~150A大電流輸出,可方便檢查互感器二次回路通道狀態(tài)的完整性。
無需外接其它輔助設(shè)備,單機(jī)即可完成所有檢測(cè)項(xiàng)目。 自帶微型快速打印機(jī)、可直接現(xiàn)場(chǎng)打印測(cè)試結(jié)果。 采用智能控制器,操作簡(jiǎn)單。
制造商: Mini-Circuits
產(chǎn)品種類: 射頻放大器
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-89-4
類型: Gain Block Amplifiers
技術(shù): InGaP
工作頻率: 0 Hz to 7 GHz
P1dB - 壓縮點(diǎn): 10.5 dBm
增益: 9.8 dB
工作電源電壓: 3.5 V
NF—噪聲系數(shù): 2.4 dB
OIP3 - 三階截點(diǎn): 22.9 dBm
工作電源電流: 35 mA
最小工作溫度: - 45 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: GALI
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標(biāo): Mini-Circuits
通道數(shù)量: 1 Channel
輸入返回?fù)p失: 11 dB
產(chǎn)品類型: RF Amplifier
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
測(cè)試頻率: 7 GHz
單位重量: 1 g
根據(jù)開關(guān)波形和其他因素計(jì)算后可知,相電流為10A時(shí)的開關(guān)損耗將導(dǎo)致2.5W的開通損耗和1.5W的關(guān)斷損耗。TW070J120B2開關(guān)損耗在現(xiàn)有產(chǎn)品電路中,IGBT被替換為TW070J120B。
整體損耗對(duì)比以下是現(xiàn)有IGBT和替代性SiC MOSFET之間的各類損耗對(duì)比情況。通過用TW070J120B替換IGBT,導(dǎo)通和關(guān)斷損耗顯著降低,總損耗降低了5.9W(從14.4W降低到8.5W)。
互感器校驗(yàn)儀采用最新的虛擬儀器的設(shè)計(jì)思想,用戶只需通過鼠標(biāo)和鍵盤操作計(jì)算機(jī)屏幕上的虛擬儀器界面,輸入互感器類型、量程、準(zhǔn)確度等級(jí)、容量、功率因數(shù)等參數(shù)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
支持檢測(cè)CT和PT(保護(hù)類、計(jì)量類、TP 類)穩(wěn)態(tài)和瞬時(shí)等參數(shù)。 滿足 GB1207、GB1208、GB16847(IEC60044-1、IEC60044-6)等規(guī)程要求。
采用先進(jìn)的電源技術(shù),勵(lì)磁電壓高達(dá)30KV. 單機(jī)具有0~150A大電流輸出,可方便檢查互感器二次回路通道狀態(tài)的完整性。
無需外接其它輔助設(shè)備,單機(jī)即可完成所有檢測(cè)項(xiàng)目。 自帶微型快速打印機(jī)、可直接現(xiàn)場(chǎng)打印測(cè)試結(jié)果。 采用智能控制器,操作簡(jiǎn)單。
制造商: Mini-Circuits
產(chǎn)品種類: 射頻放大器
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-89-4
類型: Gain Block Amplifiers
技術(shù): InGaP
工作頻率: 0 Hz to 7 GHz
P1dB - 壓縮點(diǎn): 10.5 dBm
增益: 9.8 dB
工作電源電壓: 3.5 V
NF—噪聲系數(shù): 2.4 dB
OIP3 - 三階截點(diǎn): 22.9 dBm
工作電源電流: 35 mA
最小工作溫度: - 45 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: GALI
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標(biāo): Mini-Circuits
通道數(shù)量: 1 Channel
輸入返回?fù)p失: 11 dB
產(chǎn)品類型: RF Amplifier
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
測(cè)試頻率: 7 GHz
單位重量: 1 g
根據(jù)開關(guān)波形和其他因素計(jì)算后可知,相電流為10A時(shí)的開關(guān)損耗將導(dǎo)致2.5W的開通損耗和1.5W的關(guān)斷損耗。TW070J120B2開關(guān)損耗在現(xiàn)有產(chǎn)品電路中,IGBT被替換為TW070J120B。
整體損耗對(duì)比以下是現(xiàn)有IGBT和替代性SiC MOSFET之間的各類損耗對(duì)比情況。通過用TW070J120B替換IGBT,導(dǎo)通和關(guān)斷損耗顯著降低,總損耗降低了5.9W(從14.4W降低到8.5W)。
互感器校驗(yàn)儀采用最新的虛擬儀器的設(shè)計(jì)思想,用戶只需通過鼠標(biāo)和鍵盤操作計(jì)算機(jī)屏幕上的虛擬儀器界面,輸入互感器類型、量程、準(zhǔn)確度等級(jí)、容量、功率因數(shù)等參數(shù)。
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