峰值電流模式控制用于強(qiáng)健和快速線路與負(fù)于控制,突發(fā)模式基于輸出電流估計(jì)值進(jìn)入/退出操作,初級邊輸出過壓保護(hù),支持最低無負(fù)載待機(jī)功耗小于75mW.

可配置的緩升和低落保護(hù),內(nèi)置軟起動,以及可配置小滯后的突發(fā)模式進(jìn)入和退出,可配置過流保護(hù)和輸出過壓保護(hù),可配置開關(guān)頻率抖動,可配置傳輸延遲補(bǔ)償以精確峰值電流控制,可配置跳周期的降頻以改善低負(fù)載效率.

制造商: Renesas Electronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-3P-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.5 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 2.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: -

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 100 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

高度: mm

長度: mm

寬度: mm

商標(biāo): Renesas Electronics

產(chǎn)品類型: MOSFET

工廠包裝數(shù)量: 30

子類別: MOSFETs

單位重量: 1.600 g

主控模塊通過RS232串口向客戶系統(tǒng)收發(fā)數(shù)據(jù)或指令；

GSM無線模塊采用的是WAVECOM公司的Q2403A模塊。Q2403A模塊主要由射頻天線、內(nèi)部Flash、SRAM、GSM基帶處理器、匹配電源和一個60腳的插座組成。

主控模塊自主或根據(jù)遠(yuǎn)程控制指令采取其他操作。

射頻天線部分主要實(shí)現(xiàn)信號的調(diào)制與解調(diào)，以及外部射頻信號與內(nèi)部基帶處理器之間的信號轉(zhuǎn)換。匹配電源為處理器及射頻部分提供所需的電源。

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