A5191HRT型HART調(diào)制解調(diào)器用于構(gòu)建智能現(xiàn)場儀表HART協(xié)議通信模塊
發(fā)布時間:2021/8/31 8:41:57 訪問次數(shù):278
現(xiàn)場智能儀表和控制系統(tǒng)間的數(shù)字通信。HART協(xié)議在低頻的4mA,20mA模擬信號上疊加音頻數(shù)字信號,進(jìn)行雙向數(shù)字通信.具有同時進(jìn)行點(diǎn)對點(diǎn)4mA~20mA模擬和數(shù)字通信、多站通信方式、多種信息傳輸、開放的體系結(jié)構(gòu)可免費(fèi)獲得等優(yōu)點(diǎn)。
物理層規(guī)定信號的傳輸方法,采用基于Bell202標(biāo)準(zhǔn)的FSK頻移鍵控信號,在低頻4mA一20mA模擬信號上疊加音頻數(shù)字信號進(jìn)行雙向通信,數(shù)字信號幅度為0.5 mA,數(shù)據(jù)率達(dá)1200b/s,以1200 Hz代表邏輯…1’,2200 Hz代表邏輯…0’。FSK頻移鍵控信號波形。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:800 VId-連續(xù)漏極電流:8 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:560 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.1 VQg-柵極電荷:45 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:40 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:CoolMOS封裝:Tube配置:Single高度:16.15 mm長度:10.65 mm系列:CoolMOS C3晶體管類型:1 N-Channel寬度:4.85 mm商標(biāo):Infineon Technologies下降時間:10 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:15 ns工廠包裝數(shù)量:500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時間:72 ns典型接通延遲時間:25 ns零件號別名:SPA8N8C3XK SP000216310 SPA08N80C3XKSA1單位重量:2 g
二線制4 mA“20 mA電流環(huán)標(biāo)準(zhǔn)模擬信號體制。數(shù)字技術(shù)的發(fā)展使大量智能控制儀表采用了微控制器(MCU),儀表與控制設(shè)備之間傳輸?shù)男畔⒘吭黾樱惹行枰环N全數(shù)字雙向通信規(guī)范。
AMI Semiconductor公司的A5191HRT型HART調(diào)制解調(diào)器用于構(gòu)建智能現(xiàn)場儀表的HART協(xié)議通信模塊,具有外圍電路簡單和工作可靠性高等特點(diǎn)。
數(shù)據(jù)鏈路層規(guī)定HART協(xié)議幀格式.實(shí)現(xiàn)建立、維護(hù)、終結(jié)鏈路通訊的功能。應(yīng)用層為HART協(xié)議命令集,用于實(shí)現(xiàn)HART指令。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
現(xiàn)場智能儀表和控制系統(tǒng)間的數(shù)字通信。HART協(xié)議在低頻的4mA,20mA模擬信號上疊加音頻數(shù)字信號,進(jìn)行雙向數(shù)字通信.具有同時進(jìn)行點(diǎn)對點(diǎn)4mA~20mA模擬和數(shù)字通信、多站通信方式、多種信息傳輸、開放的體系結(jié)構(gòu)可免費(fèi)獲得等優(yōu)點(diǎn)。
物理層規(guī)定信號的傳輸方法,采用基于Bell202標(biāo)準(zhǔn)的FSK頻移鍵控信號,在低頻4mA一20mA模擬信號上疊加音頻數(shù)字信號進(jìn)行雙向通信,數(shù)字信號幅度為0.5 mA,數(shù)據(jù)率達(dá)1200b/s,以1200 Hz代表邏輯…1’,2200 Hz代表邏輯…0’。FSK頻移鍵控信號波形。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:800 VId-連續(xù)漏極電流:8 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:560 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.1 VQg-柵極電荷:45 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:40 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:CoolMOS封裝:Tube配置:Single高度:16.15 mm長度:10.65 mm系列:CoolMOS C3晶體管類型:1 N-Channel寬度:4.85 mm商標(biāo):Infineon Technologies下降時間:10 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:15 ns工廠包裝數(shù)量:500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時間:72 ns典型接通延遲時間:25 ns零件號別名:SPA8N8C3XK SP000216310 SPA08N80C3XKSA1單位重量:2 g
二線制4 mA“20 mA電流環(huán)標(biāo)準(zhǔn)模擬信號體制。數(shù)字技術(shù)的發(fā)展使大量智能控制儀表采用了微控制器(MCU),儀表與控制設(shè)備之間傳輸?shù)男畔⒘吭黾,迫切需要一種全數(shù)字雙向通信規(guī)范。
AMI Semiconductor公司的A5191HRT型HART調(diào)制解調(diào)器用于構(gòu)建智能現(xiàn)場儀表的HART協(xié)議通信模塊,具有外圍電路簡單和工作可靠性高等特點(diǎn)。
數(shù)據(jù)鏈路層規(guī)定HART協(xié)議幀格式.實(shí)現(xiàn)建立、維護(hù)、終結(jié)鏈路通訊的功能。應(yīng)用層為HART協(xié)議命令集,用于實(shí)現(xiàn)HART指令。
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