磁帶表面的波紋度和厚度不均的平滑薄層磁性層
發(fā)布時(shí)間:2021/9/26 8:10:00 訪問(wèn)次數(shù):439
LTO9,將本公司獨(dú)有的“NANOCUBIC技術(shù)”*5微粒子化后的鋇鐵氧體磁性體(以下稱為“BaFe磁性體”)均勻分散,涂有磁帶表面的波紋度和厚度不均的平滑薄層磁性層。
實(shí)現(xiàn)了最大容量45TB(未壓縮時(shí)18TB),是LTO8的1.5倍,同時(shí)最大可傳輸1000MB/秒(未壓縮時(shí)400MB/秒)*6的高速數(shù)據(jù),發(fā)揮了很高的便利性。
而且,磁帶在數(shù)據(jù)保存時(shí)不需要經(jīng)常通電,所以與HDD相比,可以大幅降低數(shù)據(jù)保存時(shí)的耗電量。
另外,它可以在與網(wǎng)絡(luò)隔離的狀態(tài)下保有數(shù)據(jù),可以降低因網(wǎng)絡(luò)攻擊等造成的數(shù)據(jù)損壞、遺失的風(fēng)險(xiǎn)。
制造商:onsemi 產(chǎn)品種類(lèi):整流器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC Vr - 反向電壓 :600 V If - 正向電流:1 A 類(lèi)型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:1.7 V 最大浪涌電流:30 A Ir - 反向電流 :5 uA 恢復(fù)時(shí)間:35 ns 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):onsemi / Fairchild 高度:2.2 mm 長(zhǎng)度:4.75 mm Pd-功率耗散:1.47 W 產(chǎn)品:Rectifiers 產(chǎn)品類(lèi)型:Rectifiers 工廠包裝數(shù)量7500 子類(lèi)別:Diodes & Rectifiers 寬度:2.95 mm 單位重量:106 mg
當(dāng)OTF/SH_DN 被拉低且運(yùn)算放大器關(guān)閉時(shí),運(yùn)算放大器處于開(kāi)環(huán)狀態(tài),即使施加了負(fù)反饋也是如此。 發(fā)生這種情況是由于禁用偏置時(shí)運(yùn)算放大器中的開(kāi)環(huán)增益損失。
如果芯片溫度超過(guò)安全限制,則所有輸出都將被禁用,并且 OTF/SH_DN 引腳被驅(qū)動(dòng)為低電平。
在芯片溫度下降到安全水平后,操作會(huì)自動(dòng)恢復(fù)。 OTF/SH_DN 引腳在操作恢復(fù)后釋放。 在高溫下運(yùn)行管芯時(shí),運(yùn)算放大器會(huì)在熱關(guān)斷滯后之間切換打開(kāi)和關(guān)閉。
在這種情況下,必須考慮芯片溫度的安全限制。 請(qǐng)勿在熱滯狀態(tài)下長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行設(shè)備。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
LTO9,將本公司獨(dú)有的“NANOCUBIC技術(shù)”*5微粒子化后的鋇鐵氧體磁性體(以下稱為“BaFe磁性體”)均勻分散,涂有磁帶表面的波紋度和厚度不均的平滑薄層磁性層。
實(shí)現(xiàn)了最大容量45TB(未壓縮時(shí)18TB),是LTO8的1.5倍,同時(shí)最大可傳輸1000MB/秒(未壓縮時(shí)400MB/秒)*6的高速數(shù)據(jù),發(fā)揮了很高的便利性。
而且,磁帶在數(shù)據(jù)保存時(shí)不需要經(jīng)常通電,所以與HDD相比,可以大幅降低數(shù)據(jù)保存時(shí)的耗電量。
另外,它可以在與網(wǎng)絡(luò)隔離的狀態(tài)下保有數(shù)據(jù),可以降低因網(wǎng)絡(luò)攻擊等造成的數(shù)據(jù)損壞、遺失的風(fēng)險(xiǎn)。
制造商:onsemi 產(chǎn)品種類(lèi):整流器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC Vr - 反向電壓 :600 V If - 正向電流:1 A 類(lèi)型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:1.7 V 最大浪涌電流:30 A Ir - 反向電流 :5 uA 恢復(fù)時(shí)間:35 ns 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):onsemi / Fairchild 高度:2.2 mm 長(zhǎng)度:4.75 mm Pd-功率耗散:1.47 W 產(chǎn)品:Rectifiers 產(chǎn)品類(lèi)型:Rectifiers 工廠包裝數(shù)量7500 子類(lèi)別:Diodes & Rectifiers 寬度:2.95 mm 單位重量:106 mg
當(dāng)OTF/SH_DN 被拉低且運(yùn)算放大器關(guān)閉時(shí),運(yùn)算放大器處于開(kāi)環(huán)狀態(tài),即使施加了負(fù)反饋也是如此。 發(fā)生這種情況是由于禁用偏置時(shí)運(yùn)算放大器中的開(kāi)環(huán)增益損失。
如果芯片溫度超過(guò)安全限制,則所有輸出都將被禁用,并且 OTF/SH_DN 引腳被驅(qū)動(dòng)為低電平。
在芯片溫度下降到安全水平后,操作會(huì)自動(dòng)恢復(fù)。 OTF/SH_DN 引腳在操作恢復(fù)后釋放。 在高溫下運(yùn)行管芯時(shí),運(yùn)算放大器會(huì)在熱關(guān)斷滯后之間切換打開(kāi)和關(guān)閉。
在這種情況下,必須考慮芯片溫度的安全限制。 請(qǐng)勿在熱滯狀態(tài)下長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行設(shè)備。
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