交流400V、輸出48W以下的輔助電源時，與采用普通產(chǎn)品的配置相比，部件數(shù)量顯著減少（將散熱板和12個部件縮減為1個）。

這不僅可以降低部件故障的風險，還通過SiC MOSFET將功率轉換效率提高多達5％。因此，不僅有助于大幅削減工廠的安裝成本，還可以提供更加小型、更高可靠性及更節(jié)能的解決方案。

與它們所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了極大的提高，而且成本溢價大幅下降，使得更多的應用能夠從這些器件中受益，從而獲得更好的系統(tǒng)性能和價值。

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 49 V

Id-連續(xù)漏極電流: 36 A

Rds On-漏源導通電阻: 6.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 155 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 36 ns

正向跨導 - 最小值: 30 S

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 37 ns

系列: BTS282

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 70 ns

典型接通延遲時間: 30 ns

寬度: 9.25 mm

零件號別名: BTS282Z E3180A SP000910848

單位重量: 1.600 g

SiC MOSFET技術支持Midnite Solar最新的電源轉換產(chǎn)品設計，我們確實很高興看到先進的功率器件和系統(tǒng)解決方案為我們的尊貴客戶帶來積極的改變。

數(shù)據(jù)采集插件允許在設計過程中訪問任意節(jié)點信號，可以將信號送至矢量信號發(fā)生器并應用于可用硬件，從而實現(xiàn)對混合硬件/仿真實現(xiàn)的系統(tǒng)級分析。

R&S VSESIM-VSS 的一項重要特色是支持直接數(shù)字預失真 (DPD) 技術，在功率放大器開發(fā)的仿真階段就可以驗證線性化效果。

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