ASM3P2779尺寸引腳到引腳最大3mm提供14個(gè)輸出時(shí)鐘
發(fā)布時(shí)間:2021/10/4 21:44:42 訪問次數(shù):117
最小最有特性的時(shí)序產(chǎn)品ZL30461,能提供高達(dá)155.52MHz的時(shí)鐘頻率,可用在SONET/SDH系統(tǒng)的中心時(shí)序卡.這種標(biāo)準(zhǔn)兼容的時(shí)序模塊比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品小75%,具有先進(jìn)的可靠性,能提供14個(gè)輸出時(shí)鐘.
和用在網(wǎng)絡(luò)時(shí)序和同步嚴(yán)格的SONET/SDH標(biāo)準(zhǔn)兼容,ZL30461模塊由于把數(shù)字和模擬PLL技術(shù)和20MHz主振蕩器集成在小型和標(biāo)準(zhǔn)兼容的器件,能把設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)降低到最低.模塊能提供14個(gè)輸出時(shí)鐘,這是業(yè)界中SONET/SDH時(shí)序卡中時(shí)鐘最多的,它不需外接元器件或復(fù)雜的編程.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:280 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:160 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:330 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長(zhǎng)度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標(biāo):Infineon / IR 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 零件號(hào)別名:IRF2804PBF SP001571174 單位重量:2 g
用于下一代手提設(shè)備的業(yè)界最小尺寸的低電壓/低功耗降低EMI的IC ASM3P2779.測(cè)試結(jié)果表明,它的性能超過FCC EMI所要求的指標(biāo).
Alliance的ASM3P2779是低功耗多種擴(kuò)展頻譜調(diào)制器,特別設(shè)計(jì)用于移動(dòng)市場(chǎng)和PDA,手機(jī),手提MP3播放器,筆記本電腦以及視頻和圖像應(yīng)用.
ASM3P2779的尺寸引腳到引腳最大為3mm,端到端最大為3mm,高度為1mm,是移動(dòng)市場(chǎng)上最小和最薄的解決方案.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
最小最有特性的時(shí)序產(chǎn)品ZL30461,能提供高達(dá)155.52MHz的時(shí)鐘頻率,可用在SONET/SDH系統(tǒng)的中心時(shí)序卡.這種標(biāo)準(zhǔn)兼容的時(shí)序模塊比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品小75%,具有先進(jìn)的可靠性,能提供14個(gè)輸出時(shí)鐘.
和用在網(wǎng)絡(luò)時(shí)序和同步嚴(yán)格的SONET/SDH標(biāo)準(zhǔn)兼容,ZL30461模塊由于把數(shù)字和模擬PLL技術(shù)和20MHz主振蕩器集成在小型和標(biāo)準(zhǔn)兼容的器件,能把設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)降低到最低.模塊能提供14個(gè)輸出時(shí)鐘,這是業(yè)界中SONET/SDH時(shí)序卡中時(shí)鐘最多的,它不需外接元器件或復(fù)雜的編程.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:280 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:160 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:330 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長(zhǎng)度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標(biāo):Infineon / IR 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 零件號(hào)別名:IRF2804PBF SP001571174 單位重量:2 g
用于下一代手提設(shè)備的業(yè)界最小尺寸的低電壓/低功耗降低EMI的IC ASM3P2779.測(cè)試結(jié)果表明,它的性能超過FCC EMI所要求的指標(biāo).
Alliance的ASM3P2779是低功耗多種擴(kuò)展頻譜調(diào)制器,特別設(shè)計(jì)用于移動(dòng)市場(chǎng)和PDA,手機(jī),手提MP3播放器,筆記本電腦以及視頻和圖像應(yīng)用.
ASM3P2779的尺寸引腳到引腳最大為3mm,端到端最大為3mm,高度為1mm,是移動(dòng)市場(chǎng)上最小和最薄的解決方案.
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