瞬態(tài)液相燒結(jié)(TLPS)材料來創(chuàng)建表面貼裝多芯片解決方案
發(fā)布時間:2021/10/12 13:30:21 訪問次數(shù):125
KONNEKT™技術(shù)是高密度的封裝技術(shù)，可以在不使用金屬框架的情況下實現(xiàn)組件互連，從而降低電容器的 ESR、ESL和熱阻。
這項技術(shù)使用創(chuàng)新的瞬態(tài)液相燒結(jié)(TLPS) 材料來創(chuàng)建表面貼裝多芯片解決方案。
C0G KONNEKT電容器也稱作采用 KONNEKT 技術(shù)的 KC-Link電容器，以基金屬電極 (BME)技術(shù)制造，無直流偏置和壓電效應(yīng)，電容值也不會隨溫度變化，誤差僅在+-30ppm/°C之間，因此特別適用于需要高效能的應(yīng)用。
相比此前的硅通孔（TSV）布線相比，這種方式提供了更高的設(shè)計自由度，提高了生產(chǎn)效率，有助于縮小尺寸并提高性能。傳感器的像素部分與底部邏輯電路部分，使用銅焊盤進行電氣連接。
主要特性有：滿足TIA/EIA-422-B (RS-422) 和ITU-T V.11建議；TX輸出有±15kV ESD保護；熱插拔功能；保證有20Mbps數(shù)據(jù)速率(MAX3030E。
MAX3032E)；2Mbps數(shù)據(jù)速率可控轉(zhuǎn)換速率(MAX3031E，MAX3033E)；低功耗(<330uW, VCC = 3.3V 靜態(tài))；3.3V工作電壓；工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)出腳和熱關(guān)斷。
KONNEKT™技術(shù)是高密度的封裝技術(shù)，可以在不使用金屬框架的情況下實現(xiàn)組件互連，從而降低電容器的 ESR、ESL和熱阻。
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C0G KONNEKT電容器也稱作采用 KONNEKT 技術(shù)的 KC-Link電容器，以基金屬電極 (BME)技術(shù)制造，無直流偏置和壓電效應(yīng)，電容值也不會隨溫度變化，誤差僅在+-30ppm/°C之間，因此特別適用于需要高效能的應(yīng)用。
相比此前的硅通孔（TSV）布線相比，這種方式提供了更高的設(shè)計自由度，提高了生產(chǎn)效率，有助于縮小尺寸并提高性能。傳感器的像素部分與底部邏輯電路部分，使用銅焊盤進行電氣連接。
主要特性有：滿足TIA/EIA-422-B (RS-422) 和ITU-T V.11建議；TX輸出有±15kV ESD保護；熱插拔功能；保證有20Mbps數(shù)據(jù)速率(MAX3030E。
MAX3032E)；2Mbps數(shù)據(jù)速率可控轉(zhuǎn)換速率(MAX3031E，MAX3033E)；低功耗(<330uW, VCC = 3.3V 靜態(tài))；3.3V工作電壓；工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)出腳和熱關(guān)斷。
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