消耗460mW的功率低于其它供應(yīng)商的更低頻率預(yù)標(biāo)定器

發(fā)布時間:2021/10/12 22:59:55 訪問次數(shù):106

預(yù)標(biāo)定器有突出的相位噪音性能，失調(diào)頻率10KHz時，處理12GHz信號的相位噪音，典型值優(yōu)于-140dBc/Hz(每赫芝相對于載波功率的分貝數(shù))。

該芯片的功率效率也很好，工作電壓為5V。在正常工作下，器件消耗460mW的功率--低于其它供應(yīng)商的更低頻率預(yù)標(biāo)定器。

因為該工藝有低相位噪音，所以，它是高性能模擬器件的首選工藝。Zarlink的13.5GHz預(yù)標(biāo)定器有兩種封裝：8引腳SOIC和EPAD SOIC。

制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:300 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:760 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:86 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:166 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 N-Channel 商標(biāo):ON Semiconductor 正向跨導(dǎo) - 最小值:190 S 下降時間:173 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:162 ns 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:227 ns 典型接通延遲時間:54 ns 單位重量:750 mg

伴隨著智能視頻浪潮的到來，促使各應(yīng)用領(lǐng)域?qū)IS產(chǎn)品的需求激增，據(jù)知名調(diào)查機構(gòu)Yole預(yù)測，到2026年全球CIS市場規(guī)�；�?qū)⑦_(dá)到315億美元，汽車以及安防監(jiān)控等領(lǐng)域?qū)⒊蔀閹覥IS市場高速發(fā)展的主要動力。

采用這些器件，設(shè)計者能第一時間用低成本的鎖相環(huán)(PLL)合成電路來控制和調(diào)制超高頻RF信號。

多通道的集成使網(wǎng)絡(luò)設(shè)備制造商(NEM)能增加可靠性和降低SerDes系統(tǒng)設(shè)計的尺寸，復(fù)雜性和成本，以滿足下一代寬帶寬網(wǎng)絡(luò)和存儲系統(tǒng)的要求。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

該芯片的功率效率也很好，工作電壓為5V。在正常工作下，器件消耗460mW的功率--低于其它供應(yīng)商的更低頻率預(yù)標(biāo)定器。

因為該工藝有低相位噪音，所以，它是高性能模擬器件的首選工藝。Zarlink的13.5GHz預(yù)標(biāo)定器有兩種封裝：8引腳SOIC和EPAD SOIC。

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采用這些器件，設(shè)計者能第一時間用低成本的鎖相環(huán)(PLL)合成電路來控制和調(diào)制超高頻RF信號。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

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消耗460mW的功率低于其它供應(yīng)商的更低頻率預(yù)標(biāo)定器

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