直接飛行時間 (dToF) 堆疊式 SPAD（單光子雪崩二極管）深度傳感器 IMX459，可用于汽車激光雷達，助力高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和自動駕駛 (AD)。

產(chǎn)品將尺寸僅為 10 平方微米的 SPAD (單光子雪崩二極管) 像素和測距處理電路封裝在單個芯片上，形成了緊湊的 1/2.9 型外形尺寸，可進行高精度、高速度的距離測量。

FN5100允許使用屏蔽的或無屏幕的交流電源和馬達驅(qū)動連接電纜，降低馬達應(yīng)力，提供一種高效的抑制電磁干擾的方法。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 36 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 71 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 28 S

下降時間: 5 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 40 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 15 ns

零件號別名: IPB9N6N3GXT SP000398042 IPB090N06N3GATMA1

單位重量: 4 g

即使在VCC=3.3V時還滿足EIA/TIA-232和V.28/V.24指標；最小和最薄的5x5x0.9mmQFN；+/-15KV ESD保護；工作電壓2.7-5.5V。

SPAD 是一種像素結(jié)構(gòu)，可利用雪崩倍增技術(shù)，將單個入射光子的電子放大，從而形成雪崩式疊加。在用于激光雷達測距的諸多方法之中，SPAD 像素用作 dToF 傳感器中的一種探測元素，它根據(jù)光源發(fā)射的光被物體反射后返回到傳感器的飛行時間（時間差），來測量到物體的距離。

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