USB兼容工作室的USB-IF兼容質(zhì)量檢查和總線功率檢驗
發(fā)布時間:2021/11/3 13:30:00 訪問次數(shù):115
USB2.0視頻/靜止/音頻照相機控制器M5603C和閃存驅(qū)動Storlinker M5633,通過了USB兼容工作室的USB-IF兼容質(zhì)量檢查和總線功率檢驗.
M5603C是業(yè)界集成度最高封裝尺寸最小的USB 2.0視頻/靜止/音頻PC照相機控制器,毫無疑問地會取代現(xiàn)有的USB 1.1的市場.片內(nèi)有HQ比例可調(diào)的視頻壓縮引擎,M5603C能支持SXGA高達1280X1024的快照,用來靜止圖像的捕捉.
肖特基二極管具有更低的串聯(lián)電阻和更強的非線性,適合于在射頻電路中應用。
制造商: Renesas Electronics
產(chǎn)品種類: RS-422/RS-485 接口 IC
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-14
系列: ISL83491I
功能: Transceiver
數(shù)據(jù)速率: 10 Mb/s
激勵器數(shù)量: 1 Driver
接收機數(shù)量: 1 Receiver
工作電源電壓: 3 V to 3.6 V
工作電源電流: 650 uA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Renesas / Intersil
雙工: Full Duplex
高度: 0 mm
長度: 8.7 mm
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: RS-422/RS-485 Interface IC
關(guān)閉: Shutdown
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: Interface ICs
寬度: 3.9 mm
單位重量: 131 mg
肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二極管如圖 1所示,其主要特點是正向?qū)▔航敌。s0.45V),反向恢復時間短和開關(guān)損耗小,是一種低功耗、超高速半導體器件。
肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、N 陰極層及陰極金屬等構(gòu)成。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
USB2.0視頻/靜止/音頻照相機控制器M5603C和閃存驅(qū)動Storlinker M5633,通過了USB兼容工作室的USB-IF兼容質(zhì)量檢查和總線功率檢驗.
M5603C是業(yè)界集成度最高封裝尺寸最小的USB 2.0視頻/靜止/音頻PC照相機控制器,毫無疑問地會取代現(xiàn)有的USB 1.1的市場.片內(nèi)有HQ比例可調(diào)的視頻壓縮引擎,M5603C能支持SXGA高達1280X1024的快照,用來靜止圖像的捕捉.
肖特基二極管具有更低的串聯(lián)電阻和更強的非線性,適合于在射頻電路中應用。
制造商: Renesas Electronics
產(chǎn)品種類: RS-422/RS-485 接口 IC
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-14
系列: ISL83491I
功能: Transceiver
數(shù)據(jù)速率: 10 Mb/s
激勵器數(shù)量: 1 Driver
接收機數(shù)量: 1 Receiver
工作電源電壓: 3 V to 3.6 V
工作電源電流: 650 uA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Renesas / Intersil
雙工: Full Duplex
高度: 0 mm
長度: 8.7 mm
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: RS-422/RS-485 Interface IC
關(guān)閉: Shutdown
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: Interface ICs
寬度: 3.9 mm
單位重量: 131 mg
肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二極管如圖 1所示,其主要特點是正向?qū)▔航敌。s0.45V),反向恢復時間短和開關(guān)損耗小,是一種低功耗、超高速半導體器件。
肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、N 陰極層及陰極金屬等構(gòu)成。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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