Boost型DC-DC轉(zhuǎn)換器的電流檢測(cè)方法可變速率渲染功能
發(fā)布時(shí)間:2021/12/31 12:53:31 訪問次數(shù):232
在電流模式控制的DC-DC轉(zhuǎn)換器中,電流檢測(cè)電路是重要的組成模塊。其在整個(gè)電路中不僅起到過流保護(hù)作用,而且將電流檢測(cè)結(jié)果加上斜坡補(bǔ)償信號(hào)與電壓環(huán)路的輸出比較,實(shí)現(xiàn)脈沖寬度調(diào)制,其精度、速度和功耗對(duì)電路整體性能具有很大影響。
常規(guī)電流檢測(cè)電路的優(yōu)缺點(diǎn)分析,給出一種用于Boost型DC-DC轉(zhuǎn)換器的電流檢測(cè)方法。
通過對(duì)功率管長(zhǎng)條形源端上產(chǎn)生的壓差進(jìn)行放大來實(shí)現(xiàn)電流檢測(cè),從而使該電路結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn)且無額外功耗,可滿足設(shè)計(jì)要求。
2GHz到20GHz, 可達(dá)+40dBm (10 W)
寬帶固態(tài)放大器,無tubes,無需窄帶放大器的轉(zhuǎn)換
低相位噪聲, 低諧波和低雜散,高信號(hào)純度
直接在信號(hào)源上設(shè)置放大器輸出功率
AMD高度可擴(kuò)展的RDNA圖形架構(gòu)的定制圖形IP。
在COMPUTEX 2021上,AMD 正與三星合作開發(fā)新一代 Exynos SoC,采用基于AMD RDNA 2架構(gòu)的定制圖形IP,將光線追蹤與可變速率渲染功能導(dǎo)入旗艦款手機(jī),據(jù)悉,這款芯片很可能就是 Exynos 2200。
三星Galaxy S22系列大杯命名為Galaxy S22 Pro,而不是Galaxy S22+。PS:此前Galaxy S20、Galaxy S21系列大杯均是“Plus”作為后綴。
和Galaxy S21系列中杯大杯一樣,Galaxy S22、Galaxy S22 Pro同樣是挖孔直屏,前置攝像頭居中。
(素材來源:eccn和21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
在電流模式控制的DC-DC轉(zhuǎn)換器中,電流檢測(cè)電路是重要的組成模塊。其在整個(gè)電路中不僅起到過流保護(hù)作用,而且將電流檢測(cè)結(jié)果加上斜坡補(bǔ)償信號(hào)與電壓環(huán)路的輸出比較,實(shí)現(xiàn)脈沖寬度調(diào)制,其精度、速度和功耗對(duì)電路整體性能具有很大影響。
常規(guī)電流檢測(cè)電路的優(yōu)缺點(diǎn)分析,給出一種用于Boost型DC-DC轉(zhuǎn)換器的電流檢測(cè)方法。
通過對(duì)功率管長(zhǎng)條形源端上產(chǎn)生的壓差進(jìn)行放大來實(shí)現(xiàn)電流檢測(cè),從而使該電路結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn)且無額外功耗,可滿足設(shè)計(jì)要求。
2GHz到20GHz, 可達(dá)+40dBm (10 W)
寬帶固態(tài)放大器,無tubes,無需窄帶放大器的轉(zhuǎn)換
低相位噪聲, 低諧波和低雜散,高信號(hào)純度
直接在信號(hào)源上設(shè)置放大器輸出功率
AMD高度可擴(kuò)展的RDNA圖形架構(gòu)的定制圖形IP。
在COMPUTEX 2021上,AMD 正與三星合作開發(fā)新一代 Exynos SoC,采用基于AMD RDNA 2架構(gòu)的定制圖形IP,將光線追蹤與可變速率渲染功能導(dǎo)入旗艦款手機(jī),據(jù)悉,這款芯片很可能就是 Exynos 2200。
三星Galaxy S22系列大杯命名為Galaxy S22 Pro,而不是Galaxy S22+。PS:此前Galaxy S20、Galaxy S21系列大杯均是“Plus”作為后綴。
和Galaxy S21系列中杯大杯一樣,Galaxy S22、Galaxy S22 Pro同樣是挖孔直屏,前置攝像頭居中。
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