ULN62003A由7個(gè)500mA 額定開(kāi)漏晶體管組成，其中所有源極都接到同一個(gè)接地接腳。這種高電流晶體管數(shù)組能夠驅(qū)動(dòng)多種負(fù)載，像是螺線管、繼電器、直流馬達(dá)和LED顯示器，主要針對(duì)氣候控制和家電設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品可用于洗衣機(jī)、烘干機(jī)、微波爐及空調(diào)機(jī)組。

該裝置還支持低至-1V的輸入電壓，使用上更具靈活性，可將GND接腳用于偵測(cè)過(guò)流情況。這種能力進(jìn)一步提高系統(tǒng)的穩(wěn)健性，擴(kuò)大ULN62003A能夠解決的產(chǎn)品應(yīng)用項(xiàng)目。該晶體管數(shù)組的每個(gè)輸出端都有箝位二極管，以便在驅(qū)動(dòng)電感負(fù)載時(shí)提供保護(hù)及提高可靠性。

鎧俠CM7系列企業(yè)級(jí)NVMe™固態(tài)硬盤(pán)采用PCIe®5.0技術(shù)設(shè)計(jì)。

EDSFF E3系列產(chǎn)品通過(guò)PCIe 5.0及更高技術(shù)支持新一代固態(tài)硬盤(pán)，以應(yīng)對(duì)未來(lái)的數(shù)據(jù)中心架構(gòu)，并同時(shí)支持各種新設(shè)備和應(yīng)用。它改善了氣流和散熱以及信號(hào)完整性，消除了硬盤(pán)載體上的LED需求，可支持更大的固態(tài)硬盤(pán)容量點(diǎn)。

隨著全球數(shù)據(jù)量的增加，客戶必須擴(kuò)大存儲(chǔ)容量，提升性能，同時(shí)降低能耗，并滿足對(duì)環(huán)境可持續(xù)發(fā)展更為嚴(yán)格的要求。232層NAND技術(shù)提供了必要的高性能存儲(chǔ)，支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和汽車(chē)應(yīng)用所需的先進(jìn)解決方案和實(shí)時(shí)服務(wù)，同時(shí)還可在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品和PC上實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)和沉浸式體驗(yàn)。

技術(shù)節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最快的NAND輸入/輸出（I/O）速度（每秒2.4GB），以滿足低延遲和高吞吐量的需求，適用于人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)、非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)庫(kù)和實(shí)時(shí)分析，以及云計(jì)算等數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載。該I/O速度比在176層節(jié)點(diǎn)上所支持的最高速度還要快50%2。

SEMPER NOR Flash閃存和解決方案中心，輕松完成針對(duì)自動(dòng)駕駛、工廠自動(dòng)化及其他任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用的設(shè)計(jì)。