手機(jī)內(nèi)置揚(yáng)聲器或立體聲耳機(jī)輸出端口提供濾波功能
發(fā)布時(shí)間:2022/8/3 19:02:58 訪問次數(shù):123
場效應(yīng)晶體管的檢測方法,場效應(yīng)晶體管是一種常見的電壓控制器件,易被靜電擊穿損壞,原則上不能用萬用表直接檢測各引腳之問的正、反向阻值,可以在電路板上在路檢測,或根據(jù)在電路中的功能搭建相應(yīng)的電路,然后進(jìn)行檢測。
場效應(yīng)晶體管的放大能力是最基本的性能之一,一般可使用指針萬用表粗略測量場效應(yīng)晶體管是否具有放大能力。
結(jié)型場效應(yīng)晶體管放大能力的檢測方法,根據(jù)結(jié)型場效應(yīng)晶體管放大能力的檢測方法和判斷依據(jù),選取一個(gè)已知性能良好的結(jié)型場效應(yīng)晶體管,檢測方法和判斷步驟,結(jié)型場效應(yīng)晶體管放大能力的檢測示例。
濾波器EMIF02-SPK02F2僅占 0.89 x 1.26mm的面積,為手機(jī)內(nèi)置揚(yáng)聲器或立體聲耳機(jī)輸出端口提供濾波功能,或在話筒輸入端口連接一個(gè)EMIF02-SPK02F2,即可把手機(jī)和外部噪聲源(如其它手機(jī))隔離。
為各種手機(jī)和移動(dòng)音頻設(shè)備提供微型濾波器外,EMIF02-SPK02F2還有助于提高筆記本和臺(tái)式機(jī)電腦、汽車音響系統(tǒng)和個(gè)人MP3播放器的音頻性能。
單片無源濾波器會(huì)比EMIF02-SPK02F2大11%,而且在GSM等標(biāo)準(zhǔn)手機(jī)通信頻率上,噪聲過濾性能比EMIF02-SPK02F2低幾倍。這些手機(jī)信號(hào)包括900MHz和1800MHz的信號(hào),手機(jī)音頻電路會(huì)接收這些信號(hào),產(chǎn)生人耳能夠聽到的干擾噪聲,即所謂的“TDMA”噪聲。
場效應(yīng)晶體管作為驅(qū)動(dòng)放大器件的測試電路。圖中,發(fā)光二極管是被驅(qū)動(dòng)器件;場效應(yīng)晶體管VF作為控制器件。場效應(yīng)晶體管D-s之間的電流受柵極G電壓的摔制。
場效應(yīng)晶體管作為驅(qū)動(dòng)放大器件的測試電路,當(dāng)場效應(yīng)晶體管的柵極電壓低于8V時(shí),場效應(yīng)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài),發(fā)光二極管無電流,不亮。
當(dāng)場效應(yīng)晶體管的柵極電壓超過8V,小于8.5V時(shí),涓極電流開始線性增加,處于放大狀態(tài)。
當(dāng)場效應(yīng)晶體管的柵極電壓大于8.5V時(shí),場效應(yīng)品體管進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。
可以使用數(shù)字萬用表對場效應(yīng)晶體管的驅(qū)動(dòng)放大性能進(jìn)行檢測,搭建測試電路。
場效應(yīng)晶體管的檢測方法,場效應(yīng)晶體管是一種常見的電壓控制器件,易被靜電擊穿損壞,原則上不能用萬用表直接檢測各引腳之問的正、反向阻值,可以在電路板上在路檢測,或根據(jù)在電路中的功能搭建相應(yīng)的電路,然后進(jìn)行檢測。
場效應(yīng)晶體管的放大能力是最基本的性能之一,一般可使用指針萬用表粗略測量場效應(yīng)晶體管是否具有放大能力。
結(jié)型場效應(yīng)晶體管放大能力的檢測方法,根據(jù)結(jié)型場效應(yīng)晶體管放大能力的檢測方法和判斷依據(jù),選取一個(gè)已知性能良好的結(jié)型場效應(yīng)晶體管,檢測方法和判斷步驟,結(jié)型場效應(yīng)晶體管放大能力的檢測示例。
濾波器EMIF02-SPK02F2僅占 0.89 x 1.26mm的面積,為手機(jī)內(nèi)置揚(yáng)聲器或立體聲耳機(jī)輸出端口提供濾波功能,或在話筒輸入端口連接一個(gè)EMIF02-SPK02F2,即可把手機(jī)和外部噪聲源(如其它手機(jī))隔離。
為各種手機(jī)和移動(dòng)音頻設(shè)備提供微型濾波器外,EMIF02-SPK02F2還有助于提高筆記本和臺(tái)式機(jī)電腦、汽車音響系統(tǒng)和個(gè)人MP3播放器的音頻性能。
單片無源濾波器會(huì)比EMIF02-SPK02F2大11%,而且在GSM等標(biāo)準(zhǔn)手機(jī)通信頻率上,噪聲過濾性能比EMIF02-SPK02F2低幾倍。這些手機(jī)信號(hào)包括900MHz和1800MHz的信號(hào),手機(jī)音頻電路會(huì)接收這些信號(hào),產(chǎn)生人耳能夠聽到的干擾噪聲,即所謂的“TDMA”噪聲。
場效應(yīng)晶體管作為驅(qū)動(dòng)放大器件的測試電路。圖中,發(fā)光二極管是被驅(qū)動(dòng)器件;場效應(yīng)晶體管VF作為控制器件。場效應(yīng)晶體管D-s之間的電流受柵極G電壓的摔制。
場效應(yīng)晶體管作為驅(qū)動(dòng)放大器件的測試電路,當(dāng)場效應(yīng)晶體管的柵極電壓低于8V時(shí),場效應(yīng)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài),發(fā)光二極管無電流,不亮。
當(dāng)場效應(yīng)晶體管的柵極電壓超過8V,小于8.5V時(shí),涓極電流開始線性增加,處于放大狀態(tài)。
當(dāng)場效應(yīng)晶體管的柵極電壓大于8.5V時(shí),場效應(yīng)品體管進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。
可以使用數(shù)字萬用表對場效應(yīng)晶體管的驅(qū)動(dòng)放大性能進(jìn)行檢測,搭建測試電路。
熱門點(diǎn)擊
- 恒流恒壓(CCCV)充電器的性能和降低設(shè)計(jì)的
- EGT限制值(紅線值)與發(fā)動(dòng)機(jī)EGT實(shí)際最高
- 硬件觸發(fā)功能保證在指定位序列第一次發(fā)生時(shí)就會(huì)
- REFB和REFT之間輸入范圍在圖像處理和通
- DVB-H測試用例的新測試方案基于R&S S
- 輸出平整增益及輸出振幅調(diào)整設(shè)定值有效調(diào)諧訊號(hào)
- 改變電感線圈的疏密程度容性玻璃觸摸傳感器技術(shù)
- 0.8微米BCD工藝制造集成高壓DMOS功率
- STN和薄膜超級扭曲向列萬用表指針擺動(dòng)的幅度
- 兩位雙聯(lián)開關(guān)三方控制照明燈電路的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
推薦技術(shù)資料
- 電動(dòng)吸錫烙鐵
- 用12V/2A的電源為電磁閥和泵供電,F(xiàn)QPF9N50... [詳細(xì)]
- 第8代1800A/1200V
- 1200V CoolSiC嵌入
- PCB嵌入式功率芯片封裝應(yīng)用研究
- 反射傳感器簡化光電開關(guān)設(shè)計(jì)
- 導(dǎo)電性高分子混合鋁電解電容器
- PCIe Gen4 SSD主控芯片
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究