耐壓1oV及以L的電解電容平衡或雙低噪聲放大器配置
發(fā)布時間:2022/8/17 19:50:09 訪問次數(shù):42
鋁電解電容是將附有氧化膜的鋁箔作為正極,即陽極箔,電解質(zhì)作為負極,即陰極箔,中間是浸有電解液的絕緣紙,一起卷繞而成,是目前用量最多的一種電解電容,具有價格低、容量大、貨源多等優(yōu)點,缺點是介質(zhì)損耗大、容量誤差大、耐高溫性能差,存放時閘K的話容易失效。
相比瓷介電容而言,電解電容的容量一般會比較大,其電容容量和耐壓直接印制在外殼h面,本書中所涉及的實驗采用耐壓1oV及以L的電解電容就能夠滿足需要。
國外常用的有極性電容電路圖形符號,二極管在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用,它是由導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)制成的器件,故而稱之為半導(dǎo)體二極管.
功能特點
超低噪聲指數(shù)、高增益和高線性度,有效改善靈敏度和動態(tài)范圍
平衡或雙低噪聲放大器配置非常適合使用平衡LNA設(shè)計的基站前端接收器
低成本4mmx4mmx0.85mm高薄型化封裝
共通尺寸安排,外部匹配電路和印刷電路板設(shè)計適合500到2,700MHz
采用GaAs E-pHEMT技術(shù)
超低噪聲指數(shù):MGA-16516為0.45dB (850MHz),MGA-17516則為0.52dB(1,850MHz)
高增益:MGA-16516為17.5 dB(850 MHz),MGA-17516則為17.2dB(1,850 MHz)
瓷片電容上作時也有耐壓的要求,必須在低于額定電壓下工作,并應(yīng)留有余量。
高耐壓的瓷片電容會在元件上直接印制耐壓值,普通瓷片電容往往并不標(biāo)注耐壓值,僅在大包裝袋內(nèi)另附有標(biāo)簽,標(biāo)簽上面印有本包瓷片電容的耐壓值。普通瓷片電容耐壓值多為50VD由于我們的實驗所涉及的電路電壓最高不過直流6V左右,因此普通瓷片電容都能勝任。
在一些小容量的瓷片電容的頂部,常能看到刷有一小段黑色漆。左邊的27pF的瓷片電容頂部就有這樣的黑色標(biāo)記,這種頂部刷黑漆的瓷片電容通常表示其可以用于高頻電路。
鋁電解電容是將附有氧化膜的鋁箔作為正極,即陽極箔,電解質(zhì)作為負極,即陰極箔,中間是浸有電解液的絕緣紙,一起卷繞而成,是目前用量最多的一種電解電容,具有價格低、容量大、貨源多等優(yōu)點,缺點是介質(zhì)損耗大、容量誤差大、耐高溫性能差,存放時閘K的話容易失效。
相比瓷介電容而言,電解電容的容量一般會比較大,其電容容量和耐壓直接印制在外殼h面,本書中所涉及的實驗采用耐壓1oV及以L的電解電容就能夠滿足需要。
國外常用的有極性電容電路圖形符號,二極管在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用,它是由導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)制成的器件,故而稱之為半導(dǎo)體二極管.
功能特點
超低噪聲指數(shù)、高增益和高線性度,有效改善靈敏度和動態(tài)范圍
平衡或雙低噪聲放大器配置非常適合使用平衡LNA設(shè)計的基站前端接收器
低成本4mmx4mmx0.85mm高薄型化封裝
共通尺寸安排,外部匹配電路和印刷電路板設(shè)計適合500到2,700MHz
采用GaAs E-pHEMT技術(shù)
超低噪聲指數(shù):MGA-16516為0.45dB (850MHz),MGA-17516則為0.52dB(1,850MHz)
高增益:MGA-16516為17.5 dB(850 MHz),MGA-17516則為17.2dB(1,850 MHz)
瓷片電容上作時也有耐壓的要求,必須在低于額定電壓下工作,并應(yīng)留有余量。
高耐壓的瓷片電容會在元件上直接印制耐壓值,普通瓷片電容往往并不標(biāo)注耐壓值,僅在大包裝袋內(nèi)另附有標(biāo)簽,標(biāo)簽上面印有本包瓷片電容的耐壓值。普通瓷片電容耐壓值多為50VD由于我們的實驗所涉及的電路電壓最高不過直流6V左右,因此普通瓷片電容都能勝任。
在一些小容量的瓷片電容的頂部,常能看到刷有一小段黑色漆。左邊的27pF的瓷片電容頂部就有這樣的黑色標(biāo)記,這種頂部刷黑漆的瓷片電容通常表示其可以用于高頻電路。
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