底部填充技術使DRAM芯片和基板之間有更強的結構支撐
發(fā)布時間:2022/10/29 22:15:49 訪問次數(shù):131
兩款針對不同訊號頻率狀況的精密功率放大器(op-amps),解決現(xiàn)代汽車設計中進階訊號調(diào)節(jié)的需求。DIODES™AS2376Q低訊噪比特性表示其在高頻使用上已進行優(yōu)化,例如車載充電器 (OBC)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng) (BMS) 實作、泵、安全氣囊、位置傳感器及占用偵測系統(tǒng)。
SQR-SD4E采用原裝車規(guī)級DRAM IC,該原裝IC支持-40~125℃的工作溫度,解決了過熱問題。此產(chǎn)品創(chuàng)新的設計和獨特的規(guī)格,確保在高溫關鍵應用中的非凡耐用性,如軍事、車載、采礦和重工業(yè)等。
隨著SiHK045N60EF的推出,及其他第四代600V EF系列器件的發(fā)布,滿足電源系統(tǒng)架構前兩級提高能效和功率密度的要求——包括圖騰柱無橋功率因數(shù)校正(PFC)以及其后的DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊。
新產(chǎn)品的主要特點是:USB2.0 版本的 Type-C 插頭,使用 USB3.1 標準的充電電流,功率高達 100 瓦。
WR-COM USB2.0 Type-C SMT臥式插座
WR-COM USB2.0 Type-C 的設計使用壽命極長。該SMT元件帶有額外的焊盤,實現(xiàn)在 PCB 上穩(wěn)固的機械固定。雙側(cè)觸點都是鍍金,極為耐用,至少能承受10000次插拔。支持-40°C至+85°C的工業(yè)工作溫度范圍。
底部填充技術,使DRAM芯片和基板之間有更強的結構支撐,有效降低了邊緣應力。同時,它能更好地防止潮濕和其他環(huán)境危害,以提高內(nèi)存模塊的穩(wěn)定性和耐久性。
TO-220 FullPAK 2L全隔離封裝的新型FRED Pt®第五代600V Hyperfast恢復整流器---12A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15A VS-E5TW1506FP-N3和VS-E5TX1506FP-N3。該系列的整流器反向恢復性能達到業(yè)界先進水平,提高中頻逆變器和軟硬開關或諧振電路的效率。
反向恢復電荷(Qrr)低于前代解決方案60%,同時恢復損耗降低90%。此外,與最接近的競品相比,整流器反向恢復能量(Erec)提高10%,軟恢復有助于降低EMI,在整個工作溫度范圍內(nèi)更穩(wěn)定地運行,從而提高熱性能。
來源:.eepw.如涉版權請聯(lián)系刪除。圖片供參考
兩款針對不同訊號頻率狀況的精密功率放大器(op-amps),解決現(xiàn)代汽車設計中進階訊號調(diào)節(jié)的需求。DIODES™AS2376Q低訊噪比特性表示其在高頻使用上已進行優(yōu)化,例如車載充電器 (OBC)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng) (BMS) 實作、泵、安全氣囊、位置傳感器及占用偵測系統(tǒng)。
SQR-SD4E采用原裝車規(guī)級DRAM IC,該原裝IC支持-40~125℃的工作溫度,解決了過熱問題。此產(chǎn)品創(chuàng)新的設計和獨特的規(guī)格,確保在高溫關鍵應用中的非凡耐用性,如軍事、車載、采礦和重工業(yè)等。
隨著SiHK045N60EF的推出,及其他第四代600V EF系列器件的發(fā)布,滿足電源系統(tǒng)架構前兩級提高能效和功率密度的要求——包括圖騰柱無橋功率因數(shù)校正(PFC)以及其后的DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊。
新產(chǎn)品的主要特點是:USB2.0 版本的 Type-C 插頭,使用 USB3.1 標準的充電電流,功率高達 100 瓦。
WR-COM USB2.0 Type-C SMT臥式插座
WR-COM USB2.0 Type-C 的設計使用壽命極長。該SMT元件帶有額外的焊盤,實現(xiàn)在 PCB 上穩(wěn)固的機械固定。雙側(cè)觸點都是鍍金,極為耐用,至少能承受10000次插拔。支持-40°C至+85°C的工業(yè)工作溫度范圍。
底部填充技術,使DRAM芯片和基板之間有更強的結構支撐,有效降低了邊緣應力。同時,它能更好地防止潮濕和其他環(huán)境危害,以提高內(nèi)存模塊的穩(wěn)定性和耐久性。
TO-220 FullPAK 2L全隔離封裝的新型FRED Pt®第五代600V Hyperfast恢復整流器---12A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15A VS-E5TW1506FP-N3和VS-E5TX1506FP-N3。該系列的整流器反向恢復性能達到業(yè)界先進水平,提高中頻逆變器和軟硬開關或諧振電路的效率。
反向恢復電荷(Qrr)低于前代解決方案60%,同時恢復損耗降低90%。此外,與最接近的競品相比,整流器反向恢復能量(Erec)提高10%,軟恢復有助于降低EMI,在整個工作溫度范圍內(nèi)更穩(wěn)定地運行,從而提高熱性能。
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