電源應(yīng)用前級(jí)帶來的共差模干擾問題，EMC輔助器FC-LxxWx系列基于一階濾波方案，共模、差模插入損耗帶寬較寬，F(xiàn)C-L03WxCM抑制能力最高可達(dá)50dB@20MHz，DM則可達(dá)到75dB@10MHz，F(xiàn)C-L06WxCM抑制能力最高可達(dá)55dB@20MHz，DM則可達(dá)到75dB@10MHz，可有效抑制前級(jí)的干擾，確保系統(tǒng)應(yīng)用的穩(wěn)定和可靠。

在常規(guī)電源應(yīng)用前級(jí)，由于供電線路波動(dòng)帶來的浪涌對(duì)后級(jí)設(shè)備帶來的影響較大，后級(jí)防護(hù)不到位時(shí)易導(dǎo)致系統(tǒng)的運(yùn)行出現(xiàn)損壞、重啟等異常，作為電源前級(jí)的濾波設(shè)備，F(xiàn)C-LxxWx系列產(chǎn)品對(duì)差模浪涌抑制可達(dá)4kV,對(duì)共模抑制達(dá)6kV，可有效解決常規(guī)線路中的浪涌干擾（常規(guī)輔助器一般僅支持2kV/4kV）。

NSD8308/NSD8306-Q1配備有PWM生成器，可以通過配置寄存器來調(diào)節(jié)PWM頻率與占空比，對(duì)直流有刷電機(jī)進(jìn)行調(diào)速，對(duì)LED進(jìn)行調(diào)光，以此來降低主控芯片的工作負(fù)載，節(jié)約I/O資源。

PWM生成器能夠支持80-2,000Hz的頻率范圍，8Bit分辨率的占空比，即意味著該系列產(chǎn)品能夠支持0-100%范圍的占空比，0-255范圍內(nèi)的細(xì)分度變化。

在直流有刷電機(jī)的應(yīng)用中，即使主控芯片不深度介入PWM生成器，電機(jī)負(fù)載也能夠在PWM生成器的協(xié)助下實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)和調(diào)速功能，在LED負(fù)載的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)易PWM調(diào)光功能。當(dāng)寄存器設(shè)置輸出為100Hz，占空比為25%/50%/75%時(shí)，其對(duì)應(yīng)通道能夠精確匹配寄存器配置的頻率與占空比。

6.5mm×6.5mm封裝，具有32位Arm® Cortex®-M33內(nèi)核、512KB閃存(64KB應(yīng)用閃存）、采用Silicon Labs Secure Vault技術(shù)的本地安全堆棧，以及高度集成的Sub-GHz收發(fā)器和晶體，并且經(jīng)過了充分的解耦和匹配，只需額外配備一個(gè)外部天線即可實(shí)現(xiàn)完整的Z-Wave解決方案。

這款I(lǐng)P包括分布式單元（DU）和遠(yuǎn)程無線電單元（RRU），涵蓋從小型蜂窩到大規(guī)模多輸入多輸出（mMIMO）范圍。這款異構(gòu)基帶平臺(tái)為有意開拓Open RAN （O-RAN） 設(shè)備市場(chǎng)的企業(yè)大幅降低進(jìn)入壁壘。

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