相變存儲(chǔ)器兼有NOR-type flash、memory NAND-type flash memory和RAM或EEpROM相關(guān)的屬性。

如同RAM或EEPROM，PCM可變的最小單元是一位。閃存技術(shù)在改變儲(chǔ)存的信息時(shí)要求有一步單獨(dú)的擦除步驟。而在一位可變的存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的信息在改變時(shí)無需單獨(dú)的擦除步驟，可直接由1變?yōu)?或由0變?yōu)?。

相變存儲(chǔ)器如NOR閃存與NAND閃存一樣是非易失性的存儲(chǔ)器。RAM需要穩(wěn)定的供電來維持信號(hào)，如電池支持。DRAM也有稱為軟錯(cuò)誤的缺點(diǎn)，由微粒或外界輻射導(dǎo)致的隨機(jī)位損壞。早期Intel進(jìn)行的兆比特PCM存儲(chǔ)陣列能夠保存大量數(shù)據(jù)，該實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明PCM具有良好的非易失性。

電容觸控技術(shù)解決方案供應(yīng)商。PSoC 4100S Max可支持新一代CAPSENSE技術(shù)，并且可以同時(shí)支持互電容感應(yīng)和自電容感應(yīng)，能夠?qū)崿F(xiàn)各種觸屏功能，在市場(chǎng)上占據(jù)領(lǐng)先地位。

這款新產(chǎn)品提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的、可擴(kuò)展的觸摸感應(yīng)技術(shù)，可降低電路板設(shè)計(jì)的總體BOM（材料清單）成本.另外,該系列產(chǎn)品即便在一些較為惡劣的環(huán)境下也能正常進(jìn)行觸摸感應(yīng)，且具有行業(yè)領(lǐng)先的信噪比。

這些技術(shù)旨在驅(qū)動(dòng)器上均勻地分散磨損，以最大幅度提高系統(tǒng)的耐久性。在DRAM、SRAM或未使用的快閃存儲(chǔ)器單元中的臨時(shí)緩沖區(qū)都可用來跟蹤驅(qū)動(dòng)器下一步要寫入的位置以及需要擦除的舊位置。

快閃存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器的另一個(gè)主要問題是電源故障保護(hù)。臨時(shí)緩沖區(qū)包含驅(qū)動(dòng)器下一步應(yīng)該寫入的數(shù)據(jù)以及必須擦除的舊位置等訊息，這些訊息儲(chǔ)存在容易流失的存儲(chǔ)器中，在此情況下，突然斷電會(huì)導(dǎo)致緩沖區(qū)被擦除，使得傳送數(shù)據(jù)失敗造成災(zāi)難性的損失。