在選擇了正確的開(kāi)關(guān)頻率之后，電路設(shè)計(jì)人員在評(píng)估實(shí)際電路時(shí)，往往會(huì)得出令人驚訝的結(jié)果。在選定的開(kāi)關(guān)頻率下，所設(shè)計(jì)的電路常常不能按預(yù)期開(kāi)關(guān)。通常有以下兩方面原因。

許多應(yīng)用需要非常高的轉(zhuǎn)換效率，即使在低輸出負(fù)載下也是如此。如果所需的輸出功率只有幾mW，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器本身的供電電流是嚴(yán)重不成比例的。如果以百分比表示效率，這一點(diǎn)尤其明顯。為了提高這些情況下的效率，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器IC通常會(huì)配置特殊的突發(fā)模式。

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的電壓隨時(shí)間的變化。在切換到較長(zhǎng)的暫停階段之前，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)會(huì)開(kāi)關(guān)一次。在這個(gè)暫停階段，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器IC的許多功能進(jìn)入睡眠模式，只需消耗極少量的電能。顯示了開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓、電感電流和輸出電壓。

28nm eFlash技術(shù)的Autrix TC4x系列微控制器樣品已經(jīng)交付給主要客戶(hù)。其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲(chǔ)器，特別是電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)，而非eFlash，這一產(chǎn)品也將使用臺(tái)積電的28nm技術(shù)。擴(kuò)展28nm跨領(lǐng)域汽車(chē)控制微控制器產(chǎn)品線。隨著汽車(chē)市場(chǎng)對(duì)MCU需求的增長(zhǎng)，28nm在車(chē)用領(lǐng)域的應(yīng)用也有望增加。

晶圓級(jí)封裝最終會(huì)以芯片級(jí)應(yīng)用到系統(tǒng)封裝，即以倒裝芯片的工藝集成到模組里。在此過(guò)程中會(huì)經(jīng)歷多次回流焊工藝，那么回流焊之后bump內(nèi)部的空洞會(huì)發(fā)生怎樣的變化?對(duì)此，我們測(cè)試了3次回流焊之后bump內(nèi)部空洞的變化。

賀利氏的6號(hào)和7號(hào)粉錫膏對(duì)應(yīng)的Bump，在經(jīng)過(guò)3次回流焊之后仍然能夠保持在比較好的水平。

晶圓級(jí)封裝的關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)。賀利氏Welco焊粉和獨(dú)有的助焊劑配方體系能夠匹配SAW、BAW 等濾波器的晶圓封裝需求。更深層次的技術(shù)細(xì)節(jié)，如Bump高度的設(shè)計(jì)和球高與錫膏量的關(guān)系，敬請(qǐng)期待下一篇文章。不論是晶圓級(jí)封裝還是先進(jìn)封裝賀利氏都能提供成熟的解決方案。

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