制造工藝也會(huì)從22nm進(jìn)步到最新的14nm，更有利于縮小內(nèi)核面積、擴(kuò)大計(jì)算規(guī)模、降低整體功耗。

特別是在內(nèi)存配置方面，Knights Landing會(huì)提供三種不同的方式，同時(shí)只需標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存編程模型即可，不像其它百億億次超高性能計(jì)算的概念設(shè)計(jì)那樣還得開(kāi)發(fā)特定的代碼。

Knights Landing的主處理器版本會(huì)在內(nèi)部整合封裝高帶寬的內(nèi)存緩沖（膠水式而非原生），再搭配外部的DDR3、DDR4內(nèi)存，將極大地提升內(nèi)存密集型應(yīng)用的性能。

協(xié)處理器80x87的內(nèi)部結(jié)構(gòu),它可分為二個(gè)主要部分：控制部件（CU）和數(shù)值執(zhí)行部件（NEU）。

外設(shè)芯片大體上外設(shè)分為兩類，一類是存儲(chǔ)器外設(shè)，而另一類是非存儲(chǔ)器外設(shè)，后者常被稱之為I/O設(shè)備，這里的I/O是Input/Output的簡(jiǎn)寫(xiě)，即輸入、輸出�？梢�(jiàn)，I/O外設(shè)是一個(gè)非常寬泛的概念。對(duì)于存儲(chǔ)器外設(shè)，其特點(diǎn)是，它所占用的空間是連續(xù)的一片。

SDRAM內(nèi)存就是屬于存儲(chǔ)器外設(shè)，如果其容量是8M字節(jié)，那么其占用的地址空間也會(huì)是8M的。

一個(gè)串口芯片可能存在多個(gè)寄存器，一個(gè)用來(lái)查詢芯片的狀態(tài)，一個(gè)用來(lái)設(shè)置芯片的功能，另一個(gè)用來(lái)讀取芯片從串口線所收到的數(shù)據(jù)，最后，還有一個(gè)用來(lái)向芯片寫(xiě)數(shù)據(jù)以向串口線上發(fā)送數(shù)據(jù)。對(duì)于這一串口芯片的寄存器，從處理器的角度來(lái)看，都是獨(dú)立的I/O端口。

Kilopass的反熔絲基晶體管和雙晶體管位單元非易失性存儲(chǔ)器（two-transistor bitcell non-volatile memory）IP可用于廣泛的標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，包括10nm和7nm，針對(duì)熔絲更換（fuse replacement）、安全密鑰存儲(chǔ)、器件ID、模擬調(diào)整和代碼進(jìn)行了優(yōu)化存儲(chǔ)。

這些IP支持超低功耗非易失性存儲(chǔ)器要求的代碼存儲(chǔ)，包括高密度NVM，與ROM或嵌入式閃存相比可降低成本。

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