多核形式實現性能更高的計算能力有助于為客戶應用釋放出主內核
發布時間:2024/9/19 19:24:14 訪問次數:72
加強版0805封裝抗浪涌厚膜電阻器Vishay Draloric RCS0805 e3,額定功率高達0.5W。
由于提高了額定功率,RCS0805 e3現在可替代四個標準0805封裝并聯電阻;兩個1206封裝并聯電阻;或者一個1210封裝電阻。
RCS0805 e3通過AEC-Q200認證,阻值范圍1Ω至10MΩ,跳線阻值為0Ω,公差為±0.5 %、±1%和±5 %,TCR為±100ppm/K和±200ppm/K。電阻工作電壓150V,工作溫度-55°C至+155°C。
器件符合RoHS標準,無鹵素,適合在自動貼片機上用符合IEC 61760-1波峰焊,回流焊或氣相焊工藝加工。
通過Secure Vault™技術和ARM TrustZone技術實現了最佳的安全性。利用定制化元件制造服務,xG26產品還可以在制造過程中使用客戶設計的安全密鑰和其他功能進行硬編碼,從而進一步增強其抵御漏洞的能力。
ARM® Cortex®-M33 CPU和用于射頻與安全子系統的專用內核,以多核形式實現了性能更高的計算能力,有助于為客戶應用釋放出主內核。
設計師可在節省汽車、工業、通信和醫療應用電路板空間的同時,減少元器件數量并降低加工成本。電阻脈沖負載性能和ESD浪涌特性優于標準片式電阻,適用于高能和重復浪涌脈沖下的各種應用。
封裝也非常靈活,提供CSP、BGA兩種規格,尺寸小至10×10毫米,最大不過23×23毫米,中間還有12×12毫米。
Spartan UltraScale+系列采用了經過驗證的16nm FinFET制造工藝,相比28nm工藝的前代產品Atrix 7系列,可將總功耗降低多達30%,接口連接功耗降低最多60%。
高能效之外更有高性能,對比Atrix 7系列架構性能提高了最多1.9倍,同時I/O數量增加1.2倍、I/O邏輯單元增加2.4倍、內存控制器帶寬增加5倍、PCIe帶寬增加4倍、收發器帶寬增加2.5倍。
深圳市恒凱威科技開發有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
加強版0805封裝抗浪涌厚膜電阻器Vishay Draloric RCS0805 e3,額定功率高達0.5W。
由于提高了額定功率,RCS0805 e3現在可替代四個標準0805封裝并聯電阻;兩個1206封裝并聯電阻;或者一個1210封裝電阻。
RCS0805 e3通過AEC-Q200認證,阻值范圍1Ω至10MΩ,跳線阻值為0Ω,公差為±0.5 %、±1%和±5 %,TCR為±100ppm/K和±200ppm/K。電阻工作電壓150V,工作溫度-55°C至+155°C。
器件符合RoHS標準,無鹵素,適合在自動貼片機上用符合IEC 61760-1波峰焊,回流焊或氣相焊工藝加工。
通過Secure Vault™技術和ARM TrustZone技術實現了最佳的安全性。利用定制化元件制造服務,xG26產品還可以在制造過程中使用客戶設計的安全密鑰和其他功能進行硬編碼,從而進一步增強其抵御漏洞的能力。
ARM® Cortex®-M33 CPU和用于射頻與安全子系統的專用內核,以多核形式實現了性能更高的計算能力,有助于為客戶應用釋放出主內核。
設計師可在節省汽車、工業、通信和醫療應用電路板空間的同時,減少元器件數量并降低加工成本。電阻脈沖負載性能和ESD浪涌特性優于標準片式電阻,適用于高能和重復浪涌脈沖下的各種應用。
封裝也非常靈活,提供CSP、BGA兩種規格,尺寸小至10×10毫米,最大不過23×23毫米,中間還有12×12毫米。
Spartan UltraScale+系列采用了經過驗證的16nm FinFET制造工藝,相比28nm工藝的前代產品Atrix 7系列,可將總功耗降低多達30%,接口連接功耗降低最多60%。
高能效之外更有高性能,對比Atrix 7系列架構性能提高了最多1.9倍,同時I/O數量增加1.2倍、I/O邏輯單元增加2.4倍、內存控制器帶寬增加5倍、PCIe帶寬增加4倍、收發器帶寬增加2.5倍。
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