傳感器檢測電機軸位置和方向盤旋轉將數據發送到電子控制單元
發布時間:2024/9/22 20:32:36 訪問次數:88
兩個不同的功率模塊：第一個模塊叫做GAP1，內部裸片閾壓Vth的最大分布范圍是250mV（圍繞平均值+/-125mV），第二個模塊叫做GAP2，Vth的最大變化范圍是500mV（圍繞平均值+/-250mV）。
采用兩個不同的開關頻率進行測試：電驅逆變器的典型工作頻率8kHz和12kHz。眾所周知，耗散功率的增加與開關頻率成正比。
相對于SiC在高耐壓和大工作電流方面具有的優勢，GaN更有望在100~600V中等耐壓范圍內，憑借出色的擊穿場強和電子飽和速度，實現低導通電阻和高速開關（高頻率工作）性能。
12V電池會在車輛行駛期間充電，因此12V電壓軌的電流消耗不太重要。當車輛停車且未進行充電時，高壓接觸器會斷開，因此 >400V電池會與系統斷開連接，并且無法為12V電池充電。
12V電池仍需為BCU和其他常開功能供電，而且供電時長尚不確定。
低功耗對于這類常開設備非常重要。通常，對于所有常開功能，原始設備制造商希望從12V電池汲取的平均電流不超過100µA。
電動助力轉向系統由轉向柱、電子控制轉向電機以及電子感應與控制機制組成。當駕駛員轉動方向盤時，由電機（通常是無刷直流電機）協助轉向，這取代了傳統的機械和液壓系統。
EPS 系統的優點包括運行更快且更智能、減少二氧化碳排放、提高燃油效率并增強用戶體驗。駕駛員在方向盤界面提供系統輸入。傳感器檢測電機軸的位置和方向盤的旋轉，并將數據發送到電子控制單元 （ECU）。
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）同屬第三代半導體，相比硅基半導體（Si），具有禁帶寬度更寬、高耐壓、熱導率、電子飽和速度更高的特點，能夠滿足現代電子技術對半導體材料提出的高溫、高功率、高壓、高頻要求。而相對于SiC在高耐壓和大工作電流方面具有的優勢，GaN更有望在100~600V中等耐壓范圍內，憑借出色的擊穿場強和電子飽和速度，實現低導通電阻和高速開關（高頻率工作）性能。
深圳市恒凱威科技開發有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
兩個不同的功率模塊：第一個模塊叫做GAP1，內部裸片閾壓Vth的最大分布范圍是250mV（圍繞平均值+/-125mV），第二個模塊叫做GAP2，Vth的最大變化范圍是500mV（圍繞平均值+/-250mV）。
采用兩個不同的開關頻率進行測試：電驅逆變器的典型工作頻率8kHz和12kHz。眾所周知，耗散功率的增加與開關頻率成正比。
相對于SiC在高耐壓和大工作電流方面具有的優勢，GaN更有望在100~600V中等耐壓范圍內，憑借出色的擊穿場強和電子飽和速度，實現低導通電阻和高速開關（高頻率工作）性能。
12V電池會在車輛行駛期間充電，因此12V電壓軌的電流消耗不太重要。當車輛停車且未進行充電時，高壓接觸器會斷開，因此 >400V電池會與系統斷開連接，并且無法為12V電池充電。
12V電池仍需為BCU和其他常開功能供電，而且供電時長尚不確定。
低功耗對于這類常開設備非常重要。通常，對于所有常開功能，原始設備制造商希望從12V電池汲取的平均電流不超過100µA。
電動助力轉向系統由轉向柱、電子控制轉向電機以及電子感應與控制機制組成。當駕駛員轉動方向盤時，由電機（通常是無刷直流電機）協助轉向，這取代了傳統的機械和液壓系統。
EPS 系統的優點包括運行更快且更智能、減少二氧化碳排放、提高燃油效率并增強用戶體驗。駕駛員在方向盤界面提供系統輸入。傳感器檢測電機軸的位置和方向盤的旋轉，并將數據發送到電子控制單元 （ECU）。
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）同屬第三代半導體，相比硅基半導體（Si），具有禁帶寬度更寬、高耐壓、熱導率、電子飽和速度更高的特點，能夠滿足現代電子技術對半導體材料提出的高溫、高功率、高壓、高頻要求。而相對于SiC在高耐壓和大工作電流方面具有的優勢，GaN更有望在100~600V中等耐壓范圍內，憑借出色的擊穿場強和電子飽和速度，實現低導通電阻和高速開關（高頻率工作）性能。
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