從傳感器發出的微弱電流和電壓信號確保數據的準確性和可靠性

發布時間:2024/9/22 20:45:10 訪問次數:68

DMM6500是6½的DMM，電壓精度為1mV，電流精度為0.5mA，適合用于電芯校準，此外，還可以選擇電壓精度更高的DMM7510（0.1mV）。

DMM7510型號是市場上非常精確的7.5位數字萬用表之一。它適用于需要精確和快速測量的場合，是先進科學和工程應用的優選。

DMM7510是具有更高的精度和更豐富的功能，專為要求嚴苛的測量任務而設計。

DMM7510采用32位A/D轉換器，具備極低的噪聲水平和高分辨率，能夠精確測量從傳感器發出的微弱電流和電壓信號，確保數據的準確性和可靠性。

配備觸摸屏的圖形用戶界面，使得復雜數據的監測和分析變得直觀簡便。工程師可以實時查看和分析測量數據，快速準確地進行調整和優化。

DMM7510支持廣泛的測量功能，包括電壓、電流、電阻及更多，適應多變的測試需求。自動校準功能確保長期使用中的測量準確性。

將此服務集成到ROS系統中,以滿足特定應用需求,此功能使用戶能夠直接從ROS驅動程序配置TMC板。

為了充分提高GaN HEMT的低損耗和高速開關性能，使器件應用更加穩定可靠，羅姆不僅注重提高GaN HEMT單體的性能，還不斷改進驅動技術和控制技術，讓GaN器件在各種應用中進一步普及。

例如，用戶可以選擇設置軸參數（SAP）以獲得最大電流，從而調整允許的絕對電流水平。但是，用戶必須透徹了解他們要通過此功能修改的參數，不正確的設置可能會導致TMC ROS驅動程序故障。

因此，強烈建議任何配置都通過TMCL-IDE執行。提供了調用此服務的示例，展示了使用指令類型208對DrvStatusFlags進行獲取軸參數（GAP）操作。

將柵極-源極額定電壓從普通GaN產品的6V提高到8V，提升了GaN器件電源電路的設計裕度和可靠性。650V耐壓GaN HEMT，至此同時提供了150V和650V GaN分立式器件。

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