熱敏、光敏特性演示器 (二)
發(fā)布時(shí)間:2008/6/3 0:00:00 訪問次數(shù):483
本例介紹一款采用分立元器件制作的熱敏、光敏特性演示器,它能直觀地演示半導(dǎo)體材料的熱敏特性和光敏特性。
電路工作原理
該熱敏、光敏特性演示器電路由晶體管v1-v6、二極管vdl-vd5、發(fā)光二極管vll-vl6、電阻器ro-r6、電位器rpl、rp2、電池gb和熱敏元器件 (熱敏電阻器rt或鍺材料晶體管vol),光敏元器件 (光敏電阻器rg或光敏晶體管vo2)組成,如圖2-30所示。
圖2-30熱敏、光敏特性演示器電路(二)
用于半導(dǎo)體熱敏特性演示時(shí),可在a、b兩端接上熱敏電阻器rt或晶體管vol(不使用rpl)。此時(shí)rt和v01處于高阻狀態(tài),vl-v6處于截止?fàn)顟B(tài),vll-vl6均不發(fā)光。當(dāng)用電烙鐵等熱源對(duì)rt或v01加熱時(shí),隨著rt或vol溫度的升高,vll-vl6中點(diǎn)亮的發(fā)光二極管的數(shù)量也越來越多,表明該半導(dǎo)體材料的電阻隨著溫度的升高而減小。用于半導(dǎo)體光敏特性演示時(shí),可在a、b兩端接上光敏電阻器rg或光敏晶體管vo2(不使用rpl)。在光線較弱時(shí),rg或vo2處于高阻狀態(tài),vl-v6均截止,vll-vl6均不發(fā)光。當(dāng)有光線照射到rg或vo2上時(shí),vll-vl6中部分發(fā)光二極管被點(diǎn)亮。rg的阻值或vo2的導(dǎo)通內(nèi)阻隨著光線的增強(qiáng)而減小,vll-vl6中發(fā)光二極管點(diǎn)亮的個(gè)數(shù)也隨之而增多,這表明該半導(dǎo)體材料的電阻是隨著光照強(qiáng)度的增大而減小。調(diào)整rpl的阻值,也可模擬演示半導(dǎo)體光敏特性與熱敏特性。調(diào)整r陀的阻值,可改變led顯示電路的靈敏度。
元器件選擇
ro選用1/2w金屬膜電阻器;rl-r6均選用1/4w金屬膜電阻器。
rt選用負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻器。
rg選用mg45系列的光敏電阻器。
rpl和rp2選用小型有機(jī)實(shí)心電位器或合成膜電位器。
vll-vl6均選用ф5mm的紅色發(fā)光二極管。
vl-v6均選用s9013或3dg6、3dgl2、c8050等型號(hào)的硅npn晶體管;vol選用3agl
或3ax3l型鍺pnp晶體管;vo2選用3du系列的光敏晶體管。
本例介紹一款采用分立元器件制作的熱敏、光敏特性演示器,它能直觀地演示半導(dǎo)體材料的熱敏特性和光敏特性。
電路工作原理
該熱敏、光敏特性演示器電路由晶體管v1-v6、二極管vdl-vd5、發(fā)光二極管vll-vl6、電阻器ro-r6、電位器rpl、rp2、電池gb和熱敏元器件 (熱敏電阻器rt或鍺材料晶體管vol),光敏元器件 (光敏電阻器rg或光敏晶體管vo2)組成,如圖2-30所示。
圖2-30熱敏、光敏特性演示器電路(二)
用于半導(dǎo)體熱敏特性演示時(shí),可在a、b兩端接上熱敏電阻器rt或晶體管vol(不使用rpl)。此時(shí)rt和v01處于高阻狀態(tài),vl-v6處于截止?fàn)顟B(tài),vll-vl6均不發(fā)光。當(dāng)用電烙鐵等熱源對(duì)rt或v01加熱時(shí),隨著rt或vol溫度的升高,vll-vl6中點(diǎn)亮的發(fā)光二極管的數(shù)量也越來越多,表明該半導(dǎo)體材料的電阻隨著溫度的升高而減小。用于半導(dǎo)體光敏特性演示時(shí),可在a、b兩端接上光敏電阻器rg或光敏晶體管vo2(不使用rpl)。在光線較弱時(shí),rg或vo2處于高阻狀態(tài),vl-v6均截止,vll-vl6均不發(fā)光。當(dāng)有光線照射到rg或vo2上時(shí),vll-vl6中部分發(fā)光二極管被點(diǎn)亮。rg的阻值或vo2的導(dǎo)通內(nèi)阻隨著光線的增強(qiáng)而減小,vll-vl6中發(fā)光二極管點(diǎn)亮的個(gè)數(shù)也隨之而增多,這表明該半導(dǎo)體材料的電阻是隨著光照強(qiáng)度的增大而減小。調(diào)整rpl的阻值,也可模擬演示半導(dǎo)體光敏特性與熱敏特性。調(diào)整r陀的阻值,可改變led顯示電路的靈敏度。
元器件選擇
ro選用1/2w金屬膜電阻器;rl-r6均選用1/4w金屬膜電阻器。
rt選用負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻器。
rg選用mg45系列的光敏電阻器。
rpl和rp2選用小型有機(jī)實(shí)心電位器或合成膜電位器。
vll-vl6均選用ф5mm的紅色發(fā)光二極管。
vl-v6均選用s9013或3dg6、3dgl2、c8050等型號(hào)的硅npn晶體管;vol選用3agl
或3ax3l型鍺pnp晶體管;vo2選用3du系列的光敏晶體管。
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