N溝道耗盡型MOS管和N溝道M1F60-6063增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+（制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻人負(fù)離子），故在UCs=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場作用下，漏極一源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道（稱為初始溝道），只要加上正向電壓UDS，就有電流。如果加上正的UCs，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小。增大。反之UCs為負(fù)時(shí)，溝道中感應(yīng)的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大。減少。當(dāng)UCS負(fù)向增加到某一數(shù)值時(shí)，導(dǎo)電溝道消失。趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。如圖1-23所示為N溝道耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)、符號與P溝道電路符號。