型號(hào):APTM120DA30T1G
類別:FET
制造商:Microsemi Power Products Group
封裝:SP1
描述:MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:1200V(1.2kV)
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:31A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:360 毫歐 @ 25A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:5V @ 2.5mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:560nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:14560pF @ 25V
功率_最大:657W
安裝類型:底座安裝
封裝__外殼:SP1
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SP1
包裝:散裝
廠 商:MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
描 述:Boost chopper MOSFET Power Module
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