型號:BSC900N20NS3 G
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:8-PowerTDFN
描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:15.2A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 7.6A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 30µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:920pF @ 100V
功率_最大:62.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包裝:Digi-Reel®
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:n-Channel Power MOSFET
大 小:1574K