型號：BSS806N H6327
類別：FET - 單
制造商：Infineon Technologies
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫歐 @ 2.3A，2.5V
Id時的Vgs333th444111最大222：750mV @ 11µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 2.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：529pF @ 10V
功率_最大：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：SIEMENS [ SIEMENS SEMICONDUCTOR GROUP ]
描 述：SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
大 �。�81K
QQ：5645336 復(fù)制
