型號(hào):BSZ900N15NS3 G
類(lèi)別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:8-PowerTDFN
描述:MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:13A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 10A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:4V @ 20µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 75V
功率_最大:38W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝__外殼:8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:n-Channel Power MOSFET
大 。1460K