型號(hào):EPC1001
類別:FET - 單
制造商:EPC
封裝:模具剖面(11 焊條)
描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
系列:eGaN®
FET型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:25A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 25A,5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 5mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 50V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:模具剖面(11 焊條)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:模具剖面(11 焊條)
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:TDK [ TDK Electronics ]
描 述:Ferrite Cores For Power Supply and Signal Transformer EPC Cores
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