型號(hào):MUN5111DW1T1G
類(lèi)別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
制造商:ON Semiconductor
封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
系列:-
晶體管類(lèi)型:2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444111最大222:100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿111最大222:50V
電阻器_基極333R1444111歐222:10k
電阻器_發(fā)射極333R2444111歐222:10k
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度111最大222:250mV @ 300µA,10mA
電流_集電極截止111最大222:500nA
頻率_轉(zhuǎn)換:-
功率_最大:250mW
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝__外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-363
包裝:剪切帶 (CT)
廠(chǎng) 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Bias Resistor Transistor
大 。163K