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B82422H1102K 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

B82422H1102K詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：固定式

描述：INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%

系列：SIMID

制造商：EPCOS Inc

類(lèi)型：鐵氧體芯體

電感：1µH

電流：

額定電流：1.15A

電流_飽和值：-

容差：±10%

材料_磁芯：鐵氧體鼓形芯

屏蔽：無(wú)屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 100 毫歐

不同頻率時(shí)的Q值：8 @ 7.96MHz

頻率_自諧振：150MHz

工作溫度：-

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）

安裝類(lèi)型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

B82422H1102K詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：固定式

描述：INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%

系列：SIMID

制造商：EPCOS Inc

類(lèi)型：鐵氧體芯體

電感：1µH

電流：

額定電流：1.15A

電流_飽和值：-

容差：±10%

材料_磁芯：鐵氧體鼓形芯

屏蔽：無(wú)屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 100 毫歐

不同頻率時(shí)的Q值：8 @ 7.96MHz

頻率_自諧振：150MHz

工作溫度：-

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）

安裝類(lèi)型：表面貼裝

包裝：剪切帶 (CT)

B82422H1102K詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：固定式

描述：INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%

系列：SIMID

制造商：EPCOS Inc

類(lèi)型：鐵氧體芯體

電感：1µH

電流：

額定電流：1.15A

電流_飽和值：-

容差：±10%

材料_磁芯：鐵氧體鼓形芯

屏蔽：無(wú)屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 100 毫歐

不同頻率時(shí)的Q值：8 @ 7.96MHz

頻率_自諧振：150MHz

工作溫度：-

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）

安裝類(lèi)型：表面貼裝

包裝：Digi-Reel®

B82422H1102K100詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：固定式

描述：INDUCTOR 1.0UH 650MA 1210 10%

系列：SIMID

制造商：EPCOS Inc

類(lèi)型：鐵氧體芯體

電感：1µH

電流：

額定電流：650mA

電流_飽和值：-

容差：±10%

材料_磁芯：鐵氧體

屏蔽：無(wú)屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 220 毫歐

不同頻率時(shí)的Q值：10 @ 7.96MHz

頻率_自諧振：200MHz

工作溫度：-

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）

安裝類(lèi)型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

B82422H1102K100詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：固定式

描述：INDUCTOR 1.0UH 650MA 1210 10%

系列：SIMID

制造商：EPCOS Inc

類(lèi)型：鐵氧體芯體

電感：1µH

電流：

額定電流：650mA

電流_飽和值：-

容差：±10%

材料_磁芯：鐵氧體

屏蔽：無(wú)屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 220 毫歐

不同頻率時(shí)的Q值：10 @ 7.96MHz

頻率_自諧振：200MHz

工作溫度：-

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）

安裝類(lèi)型：表面貼裝

包裝：剪切帶 (CT)

• BFC241915102

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 5100PF 400VDC RADIAL

• BD46305G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET CMOS 3.0V 50MS 5SSOP

• C320C153K1R5CA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 0.015UF 100V 10% RADIAL

• B82422H1102K

  固定式    EPCOS Inc    1210（3225 公制）    INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%

• B37940K2151J060

  陶瓷    EPCOS Inc    0805（2012 公制）    CAP CER 150PF 200V 5% NP0 0805

• BSC883N03MS G

  FET - 單    Infineon Technologies    8-PowerTDFN    MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8

• BG 3430R E6327

  RF FET    Infineon Technologies    6-VSSOP，SC-88，SOT-363    MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363

• BD46315G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET CMOS 3.1V 50MS 5SSOP

• B43504E397M82

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 390UF 420V

• C320C153K2R5CA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 0.015UF 200V 10% RADIAL

• BS-COVER

  配件    MPD (Memory Protection Devices)    徑向    PROTECT COVER FOR 9V SNAP TERM

• B37940K2331J060

  陶瓷    EPCOS Inc    0805（2012 公制）    CAP CER 330PF 200V 5% NP0 0805

• B43504F2228M

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 2200UF 200V

• BFC241917503

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.075UF 400VDC RADIAL

• BD46315G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET CMOS 3.1V 50MS 5SSOP