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BC33716 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

BC33716詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類(lèi)型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：100nA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：625mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC33716_J35Z詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN EPTXL 45V 800MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類(lèi)型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：100nA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：625mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC33716BU詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類(lèi)型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：100nA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：625mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC33716TA詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類(lèi)型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：100nA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：625mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：帶盒（TB）

BC33716TA詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類(lèi)型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：100nA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：625mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：剪切帶 (CT)

BC33716TAR詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類(lèi)型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：100nA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：625mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：帶盒（TB）

• B43505A2477M87

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 470UF 250V

• 7125

  配件    Keystone Electronics        CARRIER BD

• BC848B,215

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

• BB 831 E7904

  可變電容二極管（可變電容二極管，變?nèi)荻�極管）    Infineon Technologies    SC-76，SOD-323    DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323

• BC32825BU

  晶體管(BJT) - 單路    Fairchild Semiconductor    TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體     TRANSISTOR PNP 25V 800MA TO-92

• B32654A224K

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    FILM CAP 0.22UF 10% 1000V MKP

• B32652A1472J189

  薄膜    EPCOS Inc        FILM CAP 4.7NF 5% 1600V

• BD9584F-E2

  PMIC - 電源管理 - 專(zhuān)用    Rohm Semiconductor    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    IC CURR DETECT EARTH LEAK 8SOP

• B43505A2687M60

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 680UF 250V

• B32654A2333J000

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    CAP FILM 0.033UF 2KVDC RADIAL

• BC848B-TP

  晶體管(BJT) - 單路    Micro Commercial Co    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR NPN 100MA 30V SOT-23

• BB 831 E7904

  可變電容二極管（可變電容二極管，變?nèi)荻�極管）    Infineon Technologies    SC-76，SOD-323    DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323

• B32652A1472K

  薄膜    EPCOS Inc        FILM CAP 4.7NF 10% 1600V MKP

• BD9584F-E2

  PMIC - 電源管理 - 專(zhuān)用    Rohm Semiconductor    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    IC CURR DETECT EARTH LEAK 8SOP

• B43505A5157M62

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 150UF 450V