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BC373詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.1V @ 250µA，250mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC373G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.1V @ 250µA，250mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC373RL1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.1V @ 250µA，250mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

BC373RL1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.1V @ 250µA，250mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

BC373RL1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.1V @ 250µA，250mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BC373ZL1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.1V @ 250µA，250mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶盒（TB）

C1608C0G1H560J
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 56PF 50V 5% NP0 0603
C1210C333KCRACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.033UF 500V X7R 1210
BC369ZL1G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANSISTOR PNP 20V 1A TO-92
C0603C0G1E150GTX
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 15PF 25V 2% NP0 0201
74HC04PW,118
邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC HEX INVERTER 14-TSSOP
B82498F3681G
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 0805 680 NH 2%
C0402C109C8GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 1PF 10V NP0 0402
C1608C0G1H560J
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 56PF 50V 5% NP0 0603
BD2-2880UC
配件 CBM America Corporation 0603（1608 公制） CONTROL BOARD THERMAL PRINTER
C0603C0G1E150J
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 15PF 25V 5% NP0 0201
74HC04PW-Q100,118
邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC HEX INVERTER CMOS 14TSSOP
C0402C109D5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 1PF 50V NP0 0402
C1608C0G1H562J
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 5600PF 50V 5% NP0 0603
BD2-2890U
配件 CBM America Corporation 0603（1608 公制） CONTROL BOARD THERMAL PRINTER
B82498F3681J
固定式 EPCOS Inc 0805（2012 公制） INDUCTOR 680NH 190MA 0805 5%

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