BC857BLP-7 全國供應商、價格、PDF資料

BC857BLP-7詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP BIPOL 45V 3-DFN

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：220 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-XFDFN

供應商設備封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）

包裝：剪切帶 (CT)

BC857BLP-7詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP BIPOL 45V 3-DFN

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：220 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-XFDFN

供應商設備封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）

包裝：帶卷 (TR)

BC857BLP-7詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP BIPOL 45V 3-DFN

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：220 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-XFDFN

供應商設備封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）

包裝：Digi-Reel®

BC857BLP-7B詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 45V 100MA DFN1006-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：220 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-UFDFN

供應商設備封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）

包裝：Digi-Reel®

BC857BLP-7B詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 45V 100MA DFN1006-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：220 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-UFDFN

供應商設備封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）

包裝：帶卷 (TR)

BC857BLP-7B詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 45V 100MA DFN1006-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：220 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-UFDFN

供應商設備封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）

包裝：剪切帶 (CT)

• C0805C475M4RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 4.7UF 16V 20% X7R 0805

• 74VHC161284MEA

  邏輯 - 專用邏輯    Fairchild Semiconductor    48-BSSOP（0.295"，7.50mm 寬）    TXRX BIDIRECT IEEE 48SSOP

• BFC238330134

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.13UF 1KVDC RADIAL

• BC857BLP4-7

  晶體管(BJT) - 單路    Diodes Inc    3-XFDFN    TRANS PNP SS 45V 3-DFN

• C0805C182J5RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1800PF 50V 5% X7R 0805

• C2220C106K5R1CAUTO7186

  陶瓷    Kemet    疊接式，SMD J 引線    CAP CER 10UF 50V 10% X7R 2220

• C0805C102MDRACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1000PF 1KV 20% X7R 0805

• C0603C508B1GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.5PF 100V NP0 0603

• C0805C475M8PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 4.7UF 10V 20% X5R 0805

• BFC238330154

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.15UF 1KVDC RADIAL

• C0805C103F5GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 10000PF 50V 1% NP0 0805

• C0603C508B1GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.5PF 100V NP0 0603

• C2220C106K5R1CTU

  陶瓷    Kemet    疊接式，SMD J 引線    CAP CER 10UF 50V 10% X7R 2220

• C0805C182K1RACAUTO

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1800PF 100V 10% X7R 0805

• 74VHC161284MTD

  邏輯 - 專用邏輯    Fairchild Semiconductor    48-BSSOP（0.295"，7.50mm 寬）    TXRX BIDIRECT IEEE 48TSSOP