BSS138BK,215 全國供應商、價格、PDF資料

BSS138BK,215詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V TO-236AB

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：360mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 歐姆 @ 350mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.7nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 10V

功率_最大：350mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

• BQ29449DRBR

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    8-VDFN 裸露焊盤    IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON

• BFC238352303

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.03UF 1.6KVDC RADIAL

• BSS138

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23

• C0805C395K8PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 3.9UF 10V 10% X5R 0805

• C322C153K1R5CA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 0.015UF 100V 10% RADIAL

• B41252A7229M

  電容器    EPCOS Inc        22000UF 35V 35X45 SNAP IN

• C0805C152K5RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1500PF 50V 10% X7R 0805

• BQ29449DRBT

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    8-VDFN 裸露焊盤    IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON

• BFC238352362

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 3600PF 1.6KVDC RADIAL

• C0805C395K9PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 3.9UF 6.3V 10% X5R 0805

• C0805C152K5RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1500PF 50V 10% X7R 0805

• B41252A8338M

  電容器    EPCOS Inc        3300UF 63V 22X50 SNAP IN

• BQ29449DRBT

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    8-VDFN 裸露焊盤    IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON

• BFC238362122

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 1200PF 2KVDC RADIAL

• C322C153M1U5TA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 0.015UF 100V 20% RADIAL