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BSZ018NE2LS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 12V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSZ018NE2LS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 12V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

BSZ018NE2LS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 12V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

BSZ018NE2LSI詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 12V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

BSZ018NE2LSI詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 12V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSZ018NE2LSI詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 12V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

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連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 13POS FLANGE W/PINS
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圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 39POS PIN

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