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CGA6N3X7S1H475K 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

CGA6N3X7S1H475K詳細(xì)規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 4.7UF 50V 10% X7S 1210

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：4.7µF

電壓_額定：50V

容差：±10%

溫度系數(shù)：X7S

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應(yīng)用：自動(dòng)

額定值：

封裝/外殼：1210（3225 公制）

尺寸/尺寸：

高度_座高（最大）：

厚度（最大）：

引線間隔：

特點(diǎn)：

包裝：Digi-Reel®

CGA6N3X7S1H475K詳細(xì)規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 4.7UF 50V 10% X7S 1210

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：4.7µF

電壓_額定：50V

容差：±10%

溫度系數(shù)：X7S

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應(yīng)用：自動(dòng)

等級(jí)：AEC-Q200

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W（3.20mm x 2.50mm）

高度_安裝（最大值）：-

厚度：

厚度（最大值）：0.098"（2.50mm）

引線間距：-

特性：-

包裝：剪切帶 (CT)

故障率：

CGA6N3X7S1H475K詳細(xì)規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 4.7UF 50V 10% X7S 1210

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：4.7µF

電壓_額定：50V

容差：±10%

溫度系數(shù)：X7S

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應(yīng)用：自動(dòng)

等級(jí)：AEC-Q200

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W（3.20mm x 2.50mm）

高度_安裝（最大值）：-

厚度：

厚度（最大值）：0.098"（2.50mm）

引線間距：-

特性：-

包裝：帶卷 (TR)

故障率：

CGA6N3X7S1H475K詳細(xì)規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 4.7UF 50V 10% X7S 1210

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：4.7µF

電壓_額定：50V

容差：±10%

溫度系數(shù)：X7S

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應(yīng)用：自動(dòng)

額定值：

封裝/外殼：1210（3225 公制）

尺寸/尺寸：

高度_座高（最大）：

厚度（最大）：

引線間隔：

特點(diǎn)：

包裝：帶卷 (TR)

CGA6N3X7S1H475K詳細(xì)規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 4.7UF 50V 10% X7S 1210

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：4.7µF

電壓_額定：50V

容差：±10%

溫度系數(shù)：X7S

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應(yīng)用：自動(dòng)

額定值：

封裝/外殼：1210（3225 公制）

尺寸/尺寸：

高度_座高（最大）：

厚度（最大）：

引線間隔：

特點(diǎn)：

包裝：剪切帶 (CT)

CGA6N3X7S1H475K詳細(xì)規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 4.7UF 50V 10% X7S 1210

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：4.7µF

電壓_額定：50V

容差：±10%

溫度系數(shù)：X7S

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應(yīng)用：自動(dòng)

等級(jí)：AEC-Q200

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W（3.20mm x 2.50mm）

高度_安裝（最大值）：-

厚度：

厚度（最大值）：0.098"（2.50mm）

引線間距：-

特性：-

包裝：Digi-Reel®

故障率：

• FQB2N50TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK

• CGA6N3X7R2A225M/SOFT

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 2.2UF 100V 20% X7R 1210

• CGA3E2X7R1H683K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.068UF 50V 10% X7R 0603

• ESR10EZPJ000

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 0.0 OHM 1/4W 0805 SMD

• FK18X5R1C225K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 2.2UF 16V 10% RADIAL

• FQB33N10LTM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

• CGO103M055L

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向，Can - 螺絲端子    CAP ALUM 10000UF 55V 20% SCREW

• FK18X5R1C684K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 0.68UF 16V 10% RADIAL

• ESR10EZPJ102

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 1.0K OHM 1/4W 5% 0805 SMD

• FQB33N10TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

• CGO223M020L

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向，Can - 螺絲端子    CAP ALUM 22000UF 20V 20% SCREW

• FK18X5R1E224K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 0.22UF 25V 10% RADIAL

• CGA3E2X7R2A223K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.022UF 100V X7R 0603

• ESR10EZPJ110

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 11 OHM 1/4W 5% 0805 SMD

• CGA6N4C0G2J223J

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 0.022UF 630V 5% NP0 1210