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DDTC125TCA-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：200k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 50µA，500µA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTC125TCA-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes/Zetex; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：200k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 50µA，500µA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

DDTC125TCA-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：200k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 50µA，500µA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

DDTC125TCA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：200k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 50µA，500µA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTC125TCA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：200k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 50µA，500µA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：Digi-Reel®

DDTC125TCA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：200k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 50µA，500µA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

DDTC125TCA-7供應(yīng)商

DM163014
通用嵌入式開發(fā)板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等） Microchip Technology BOARD DEMO PICDEM4 12F629,16F630
ECM18DRAH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD
CMF6010K100CHEA
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 10.1K OHM 1W .25% AXIAL
DDTC124XUA-7-F
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Diodes Inc SC-70，SOT-323 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
DJT16F13-4SC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 4POS STRGHT W/SKT
DDMME50SZ
D-Sub ITT Cannon DSUB 50 F CLIN
BZX84-A7V5,215
單二極管/齊納 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE VREG 250MW 7.5V SOT23
DM163022-1
通用嵌入式開發(fā)板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等） Microchip Technology BOARD DEMO PIC16F87X PIC18FXX2
ECM18DRAN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD
BZX84-B10,215
單二極管/齊納 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 10V 250MW SOT23
DDMMF24W7PK87
D-Sub ITT Cannon DSUB 24W7 M FLOA
DJT16F13-4SN-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 4POS SKT
DM163026
評估板 - 傳感器 Microchip Technology BOARD DEMO LOW POWER SOLUTIONS
ECM18DRKI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD
CMF6010K240BEEB
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 10.24K OHM 1W 0.1% AXIAL

DDTC125TCA-7 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料