FQB13N10LTM 全國供應商、價格、PDF資料

FQB13N10LTM詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 6.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V

功率_最大：3.75W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D²PAK

包裝：帶卷 (TR)

• FK18C0G1H6R8D

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 6.8PF 50V RADIAL

• CGA3E2X7R1H223K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0603

• ESR10EZPF49R9

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 49.9 OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGJ6M2X7R2A334K

  陶瓷    TDK Corporation    -    CAP CER 0.33UF 100V 10% X7R 1210

• FQB13N06LTM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK

• CGA6M3X7R2E224K

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 0.22UF 250V 10% X7R 1210

• ESR10EZPF4R70

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 4.70 OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• FK18C0G1H6R8D

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 6.8PF 50V RADIAL

• CGA3E2X7R1H331K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 330PF 50V 10% X7R 0603

• CGA6M3X7R2E224K/SOFT

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 0.22UF 250V 10% X7R 1210

• ESR10EZPF4R70

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 4.70 OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• FK18C0G2A221J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL

• CGA3E2X7R1H332K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 0603

• CGJ6M2X7R2A474K

  陶瓷    TDK Corporation    -    CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210

• FQB13N50CTM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK