亚洲午夜久久久影院伊人,日韩无码高清jk播放AV

FQB19N20CTM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 9.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1080pF @ 25V; 功率_最大：3.13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263-2; 包裝：Digi-Reel®

FQB19N20CTM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 9.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1080pF @ 25V; 功率_最大：3.13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263-2; 包裝：帶卷 (TR)

FQB19N20CTM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 9.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1080pF @ 25V; 功率_最大：3.13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263-2; 包裝：剪切帶 (CT)

FQB19N20LTM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V; 功率_最大：3.13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

FQB19N20LTM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V; 功率_最大：3.13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：Digi-Reel®

FQB19N20LTM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V; 功率_最大：3.13W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

ECW-HA3C362HB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3600PF 1.6KVDC RADIAL
FQB16N25TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
ECW-HA3C362JQ
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3600PF 1.6KVDC RADIAL
ECW-HA3C363HQ
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.036UF 1.6KVDC RADIAL
FQB17N08LTM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
ECW-HA3C392H4
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3900PF 1.6KVDC RADIAL
ECW-HA3C393H4
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.039UF 1.6KVDC RADIAL
FQB19N10LTM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
ECW-HA3C393J
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.039UF 1.6KVDC RADIAL
ECW-HA3C472H4
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 4700PF 1.6KVDC RADIAL
H3BXT-10105-W6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3049W/X 5"
ECW-HA3C472JB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 4700PF 1.6KVDC RADIAL
FQB19N20TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
H3BXT-10106-B8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048B/X 6"
H3BXT-10106-V8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048V/X 6"

FQB19N20 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料