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HUFA75344P3 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

HUFA75344P3詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

系列：UltraFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 75A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 20V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3200pF @ 25V

功率_最大：285W

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

HUFA75344P3_F085詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

系列：UltraFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 75A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 20V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3200pF @ 25V

功率_最大：285W

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

• GRM1556T1H8R0DD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 8PF 50V T2H 0402

• GRM2196S2A7R9DD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0805（2012 公制）    CAP CER 7.9PF 100V S2H 0805

• HUFA75329D3S

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 55V 20A DPAK

• CPA2512E56R0FS-T10

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    2512（6432 公制）    RES 56.0 OHM 16W 1% 2512 SMD

• HUFA75329P3

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-220-3    MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB

• CPA2512E56R0FS-T10

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    2512（6432 公制）    RES 56.0 OHM 16W 1% 2512 SMD

• GRM2196S2A7R9DD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0805（2012 公制）    CAP CER 7.9PF 100V S2H 0805

• GRM1556T1H8R3CD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 8.3PF 50V T2H 0402

• HUFA75329S3S

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

• GRM1556T1H8R7DD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 8.7PF 50V T2H 0402

• GRM2196S2A910JZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0805（2012 公制）    CAP CER 91PF 100V 5% S2H 0805

• CPA2512Q10R0FS-T10

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    2512（6432 公制）    RES 10.0 OHM 16W 1% 2512 SMD

• HUFA75639G3

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET N-CH 100V 56A TO-247

• CPA2512Q10R0FS-T10

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    2512（6432 公制）    RES 10.0 OHM 16W 1% 2512 SMD

• GRM2196S2A9R3DD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0805（2012 公制）    CAP CER 9.3PF 100V S2H 0805