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IDT70V3319S166BC8 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

IDT70V3319S166BC8詳細(xì)規(guī)格

類別：存儲器

描述：IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：SRAM - 雙端口，同步

存儲容量：4.5M（256K x 18）

速度：166MHz

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.15 V ~ 3.45 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：256-LBGA

供應(yīng)商器件封裝：256-CABGA（17x17）

包裝：帶卷 (TR)

• DTS060250UDC-P12/RN

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 6VDC 2500MA P12 RA NEG

• GRM31CR72E333KW03L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.033UF 250V X7R 1206

• IDT70V3319S133BFI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA

• IHSM4825EB6R8L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 6.8UH 3.5A SMD

• DS1100Z-300+

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 5TAP 300NS 8-SOIC

• LGW2D561MELZ35

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 560UF 200V 20% SNAP

• IMC1210SYR12J

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 120NH 5% 1210

• DTS060250UDC-P5/RN

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 6VDC 2500MA P5 RA NEG

• DSF050J394

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向    CAP FILM 0.39UF 50VDC RADIAL

• GRM31M5C1H563JA01K

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.056UF 50V 5% NP0 1206

• LGW2D681MELA35

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 680UF 200V 20% SNAP

• DS1100Z-40/T&R

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 5TAP 40NS 8-SOIC

• DTS060330UDC-P12/RP

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 6VDC 3300MA P12 RA POS

• IMC1210SYR18K

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 180NH 10% 1210

• DSF050J473

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向    CAP FILM 0.047UF 50VDC RADIAL