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IDT70V3579S6BF詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 雙端口，同步; 存儲容量：1.125M（32K x 36）; 速度：6ns; 接口：并聯; 電壓_電源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：208-LFBGA; 供應商器件封裝：208-CABGA（15x15）; 包裝：托盤

IDT70V3579S6BF8詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 雙端口，同步; 存儲容量：1.125M（32K x 36）; 速度：6ns; 接口：并聯; 電壓_電源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：208-LFBGA; 供應商器件封裝：208-CABGA（15x15）; 包裝：帶卷 (TR)

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固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 470UH 5% 1812
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存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208QFP
CW010100K0JS73
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 100K OHM 13W 5% WW AXIAL