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IDT70V639S12PRF8 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

IDT70V639S12PRF8詳細(xì)規(guī)格

類別：存儲器

描述：IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：SRAM - 雙端口，異步

存儲容量：2.25M（128K x 18）

速度：12ns

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.15 V ~ 3.45 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：128-LQFP

供應(yīng)商器件封裝：128-TQFP（14x20）

包裝：帶卷 (TR)

• DS1220AB-200+

  存儲器    Maxim Integrated    24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）    IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP

• IDT70V631S15PRF8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    128-LQFP    IC SRAM 4MBIT 15NS 128TQFP

• GRM31MR71H105KA88L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 50V 10% X7R 1206

• IMC1812ER101K

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR WW 100UH 10% 1812

• IHSM5832PJ472L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 4700UH 0.14A SMD

• DSP25-12A

  二極管，整流器 - 陣列    IXYS    TO-3P-3 整包    DIODE ARRAY 1200V 28A TO247AD

• GS-3-100-3300-F-LF

  通孔電阻器    TT Electronics/IRC    軸向    RES THICK FLM 330 OHM 3W 1% AXL

• LGY2G271MELC

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 270UF 400V 20% SNAP

• DS1220AB-200IND+

  存儲器    Maxim Integrated    24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）    IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP

• IMC1812ER101K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 100UH 10% 1812

• DSP2A-DC12V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V

• IHSM5832PJ820L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 82UH 1.14A SMD

• GS-3-100-4701-F-LF

  通孔電阻器    TT Electronics/IRC    軸向    RES THICK FLM 4.7K OHM 3W 1% AXL

• LGY2G471MELC

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 470UF 400V 20% SNAP

• DS1220AD-150

  存儲器    Maxim Integrated    24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）    IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24DIP