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IHSM7832EB822L 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IHSM7832EB822L詳細(xì)規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR POWER 8200UH 0.17A SMD

系列：IHSM-7832

制造商：Vishay Dale

類型：鐵氧體芯體

電感：8.2mH

電流：

額定電流：170mA

電流_飽和值：72.5mA

容差：±15%

材料_磁芯：鐵氧體

屏蔽：無屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 21.8 歐姆

不同頻率時(shí)的Q值：-

頻率_自諧振：-

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：非標(biāo)準(zhǔn)

大小/尺寸：0.840" L x 0.320" W x 0.285" H（21.34mm x 8.13mm x 7.24mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：散裝

• GSA 1

  保險(xiǎn)絲    Bel Fuse Inc    3AB，3AG，1/4" x 1-1/4"    FUSE 1A 250V SLOW CERAMIC GSA

• DSP30-24

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    TDK-Lambda Americas Inc    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    PWR SUP DIN RAIL 24V 31.2W 1.3A

• IHSM7832EB2R7L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 2.7UH 8.2A SMD

• IMC1812ER1R5J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.5UH 5% 1812

• DS1225AB-85+

  存儲(chǔ)器    Maxim Integrated    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）    IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP

• LGY2V820MELZ

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 82UF 350V 20% SNAP

• IDT70V659S10BC

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA

• GRM31MR72A333MA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.033UF 100V X7R 1206

• GSA 1.6-R

  保險(xiǎn)絲    Bel Fuse Inc    3AB，3AG，1/4" x 1-1/4"    FUSE 1.6A 250V SLOW UL CERM

• IMC1812ER221K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 220UH 10% 1812

• DS1225AD-150+

  存儲(chǔ)器    Maxim Integrated    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）    IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP

• LGY2W151MELB

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 150UF 450V 20% SNAP

• GRM31MR72A683KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.068UF 100V X7R 1206

• IDT70V659S12BFGI

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA

• GSA 375-R

  保險(xiǎn)絲    Bel Fuse Inc    3AB，3AG，1/4" x 1-1/4"    FUSE 375MA 250V SLOW UL CERM