IRF1010E 全國供應商、價格、PDF資料

IRF1010EL詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 84A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 50A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262

包裝：管件

IRF1010EPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 50A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF1010ESTRLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 50A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：Digi-Reel®

IRF1010ESTRLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 50A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：剪切帶 (CT)

IRF1010ESTRLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 50A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF1010ESTRR詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：84A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 50A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• FAD1-06025CHMW12

  風扇 - DC    Qualtek        FAN 60X25MM 12VDC HYDRO WIRE

• IRD-LPC1768-DEV

  通用嵌入式開發(fā)板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等）    Future Designs Inc        KIT DEV IND REF DESIGN LPC1768

• CRCW251215R8FKTG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 15.8 OHM 1W 1% 2512 SMD

• F681K39Y5RP63K5R

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向，圓盤    CAP CER 680PF 2KV 10% RADIAL

• FAD1-06025DBHW12

  風扇 - DC    Qualtek        FAN 60X25MM 24VDC BALL WIRE

• EYC.2B.306.NLN

  連接器，互連器件    LEMO        RECPT NUT FIX CDC 6 CTS

• IMC1812ER560K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 56UH 10% 1812

• F681K39Y5RP6TK5R

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向，圓盤    CAP CER 680PF 2KV 10% RADIAL

• FAD1-06025DHMW12

  風扇 - DC    Qualtek        FAN 60X25MM 24VDC HYDRO WIRE

• F681K39Y5RP6XT7RX1

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向，圓盤    CAP CER 680PF 2KV 10% RADIAL

• FAD1-06025DSLW12

  風扇 - DC    Qualtek        FAN 60X25MM 24VDC SLEEVE WIRE

• EYG.0B.306.CLN

  連接器，互連器件    LEMO        RECPT NUT FIXNG CDG 6CTS

• IMC1812ER561J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 560UH 5% 1812

• F681K43Y5RR6UK7R

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向，圓盤    CAP CER 680PF 3KV 10% RADIAL

• FAD1-08015BBHW12

  風扇 - DC    Qualtek        FAN 80X15MM 5VDC BALL WIRE