IRF8010STR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

IRF8010STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 45A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3830pF @ 25V

功率_最大：260W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：剪切帶 (CT)

IRF8010STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 45A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3830pF @ 25V

功率_最大：260W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：Digi-Reel®

IRF8010STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 45A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3830pF @ 25V

功率_最大：260W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF8010STRRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 45A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3830pF @ 25V

功率_最大：260W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• GRM1885C1H121JA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 120PF 50V 5% NP0 0603

• ISL9003IEJZ-T

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Intersil    *    IC REG LDO 2.8V .15A SC70-5

• IRF8010STRLPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

• HIN208CBZ-T

  接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器    Intersil    24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC 4DRVR/4RCVR RS232 5V 24-SOIC

• FSDL0365RL

  PMIC - AC-DC 轉(zhuǎn)換器，離線開關(guān)    Fairchild Semiconductor    8-SOP，8-LSOP    IC SWIT PWM GREEN CM OVP HV 8SOP

• GRM1885C1H121JA01J

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 120PF 50V 5% NP0 0603

• CZRF52C4V3-HF

  單二極管/齊納    Comchip Technology    1005（2512 公制）    DIODE ZENER 4.3V 200MW 1005

• CWX823-064.0M

  振蕩器    Connor-Winfield    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 64.0000MHZ 3.3V +-50PPM SMD

• HF70ACC635050-T

  鐵氧體磁珠和芯片    TDK Corporation    2520（6450 公制）    FERRITE CHIP 500 OHM 3.0A 2520

• GRM1885C1H122JA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 1200PF 50V 5% NP0 0603

• FSDM0365RL

  PMIC - AC-DC 轉(zhuǎn)換器，離線開關(guān)    Fairchild Semiconductor    8-SOP，8-LSOP    IC SWIT PWM GREEN CM OVP HV 8SOP

• CWX823-125.0M

  振蕩器    Connor-Winfield    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 125.0000MHZ 3.3V +-50PPM SMD

• CZRF52C5V1

  單二極管/齊納    Comchip Technology    1005（2512 公制）    DIODE ZENER 5.1V 200MW 1005

• HF759/09SF

  扁平帶    3M    2520（6450 公制）    CABLE 9COND RND SHIELD GRY 25’

• IRF820APBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-220-3    MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB