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IRFHM792TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N CH DUAL 100V 2.3A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：195 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 10µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：251pF @ 25V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應商設備封裝：8-PQFN（3.3X3.3），Power33; 包裝：Digi-Reel®

IRFHM792TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N CH DUAL 100V 2.3A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：195 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 10µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：251pF @ 25V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應商設備封裝：8-PQFN（3.3X3.3），Power33; 包裝：帶卷 (TR)

IRFHM792TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N CH DUAL 100V 2.3A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：195 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 10µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：251pF @ 25V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應商設備封裝：8-PQFN（3.3X3.3），Power33; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFHM792TR2PBF供應商

IRFHM792TR2PBF 深圳市正信鑫科技有限公司 0755-22655674
IRFHM792TR2PBF 深圳市銀芯龍科技有限公司 13510131896
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IRFHM792TR2PBF 深圳市科雨電子有限公司 171-4729-9698
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IRFHM792TR2PBF 深圳市金嘉銳電子有限公司 0755-22929859
IRFHM792TR2PBF 深圳市勵芯恒智能科技有限公司 0755-23487994
IRFHM792TR2PBF 深圳市歐和寧電子有限公司 0755-29275935
IRFHM792TR2PBF 北京元坤國際科技有限公司 010-62962871、
IRFHM792TR2PBF 北京首天偉業科技有限公司 010-62962871、
IRFHM792TR2PBF 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
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FET - 單 International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

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