IRFZ34N 全國供應商、價格、PDF資料

IRFZ34NL詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 29A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 16A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262

包裝：管件

IRFZ34NLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 29A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 16A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262

包裝：管件

IRFZ34NPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 16A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V

功率_最大：68W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRFZ34NS詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 16A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRFZ34NSPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 16A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRFZ34NSTRLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 16A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：Digi-Reel®

• H5007T

  脈沖    Pulse Electronics Corporation        GIGABIT SINGLE

• FK26C0G2J101J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 100PF 630V 5% RADIAL

• ISL81483IB

  接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC TXRX RS485/422 5V LP 8-SOIC

• IRFZ34NLPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 55V 29A TO-262

• GRM0335C1E680JD01J

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 68PF 25V 5% NP0 0201

• H5008NLT

  脈沖    Pulse Electronics Corporation        TRANSFORMER MODULE GIGABIT 1PORT

• H7PPH-3710M

  D-Sub    Assmann WSW Components        CABLE D-SUB-HMM37H/AE37M/HMM37H

• FK26C0G2J101J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 100PF 630V 5% RADIAL

• FK26C0G2J182J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 1800PF 630V 5% RADIAL

• H5079NL

  脈沖    Pulse Electronics Corporation        MODULE MINI-MAG 1PORT 1000BASE-T

• H7PSH-0910G

  D-Sub    Assmann WSW Components        CABLE D-SUB-HMM09H/AE09G/HFM09H

• GRM0335C1E6R7CD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.7PF 25V NP0 0201

• FK26C0G2J221J

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 220PF 630V 5% RADIAL

• IRFZ34NSTRLPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

• ISL81485IBZ

  接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    TXRX RS-485/422 5V 8-SOIC