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LGW2D222MELC45 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

LGW2D222MELC45詳細(xì)規(guī)格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 2200UF 200V 20% SNAP

系列：GW

制造商：Nichicon

電容：2200µF

額定電壓：200V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時(shí)為 3000 小時(shí)

工作溫度：-40°C ~ 105°C

特點(diǎn)：通用

紋波電流：5.22A

ESR（等效串聯(lián)電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can - 卡入式

尺寸/尺寸：1.378" 直徑（35.00mm）

高度_座高（最大）：1.772"（45.00mm）

引線間隔：0.394"（10.00mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• IDT70V28L20PF8

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    100-LQFP    IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP

• LGUW6331MELC

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 330UF 420V 20% SNAP

• DS1100Z-200+T

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 5TAP 200NS 8-SOIC

• DSF050J153

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向    CAP FILM 0.015UF 50VDC RADIAL

• DTS060200SUDC-P9P

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 6VDC 2000MA P9 POS C

• IMC1210SY390K

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 39UH 10% 1210

• GRM31CR72E333KW03L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.033UF 250V X7R 1206

• IDT70V28L20PFG

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    100-LQFP    IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP

• IHSM4825EB4R7L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 4.7UH 4.0A SMD

• DSF050J223

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向    CAP FILM 0.022UF 50VDC RADIAL

• IMC1210SY3R9J

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 3.9UH 5% 1210

• DTS060250UDC-P12/RN

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 6VDC 2500MA P12 RA NEG

• GRM31CR72E333KW03L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.033UF 250V X7R 1206

• IDT70V3319S133BFI

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA

• IHSM4825EB6R8L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 6.8UH 3.5A SMD